Cincin Panduan Grafit Berpori

Keunggulan Produk Inti

1. Kemurnian Ultra Tinggi & Jaminan Cacat Rendah

Mengadopsi proses pemurnian vakum suhu tinggi 3000℃ untuk menghilangkan kotoran non-logam seperti oksigen dan nitrogen secara mendalam, sehingga meningkatkan kemurnian produk hingga ≥99,9995%. Ini menghilangkan cacat kristal yang disebabkan oleh pengotor (misalnya mikrotubulus, dislokasi) dari sumbernya, memastikan konsistensi dan stabilitas sifat listrik kristal tunggal SiC, dan meletakkan dasar yang kuat untuk pertumbuhan kristal berkualitas tinggi.

2. Stabilitas Suhu Sangat Tinggi & Regulasi Medan Termal yang Tepat

Dapat menahan suhu ekstrim tinggi 2200℃ dalam lingkungan argon atau vakum, beroperasi terus menerus dan stabil selama lebih dari 1000 jam tanpa pelunakan atau deformasi. Produk ini memiliki koefisien muai panas yang rendah, yang secara efektif dapat menghindari retaknya material yang disebabkan oleh tekanan termal. Mendukung desain distribusi gradien porositas (15-30%) dan mengoptimalkan ukuran pori (10-200μm) dikombinasikan dengan teknologi simulasi CFD (Computational Fluid Dynamics), mengendalikan fluktuasi gradien suhu dalam ±3℃ dan secara signifikan meningkatkan keseragaman medan termal dan konsistensi pertumbuhan kristal.

3. Adaptasi Khusus & Kepuasan Skenario Penuh

• Adaptasi Bentuk Geometris: Dapat secara akurat memproses bentuk kompleks seperti tong annular dan struktur pelindung multi-lapisan sesuai dengan struktur tungku pelanggan untuk mencapai pencocokan dan pemasangan yang sempurna.
• Kustomisasi Proses Permukaan: Menyediakan layanan perawatan permukaan yang dipersonalisasi seperti pemolesan ultra-presisi dan pelapisan khusus, yang sangat meningkatkan ketahanan terhadap korosi dan masa pakai produk.

4. Kinerja Terverifikasi & Peningkatan Efisiensi

• Ketika digunakan sebagai komponen medan termal inti dalam proses kristalisasi PVT SiC, komponen ini telah diverifikasi dalam skenario praktis:
• Tingkat pertumbuhan kristal meningkat sebesar 15%-20% dibandingkan dengan produk grafit tradisional, sehingga secara signifikan memperpendek siklus produksi.
• Hasil wafer kristal tunggal SiC 4 inci melebihi 90%, sehingga secara efektif mengurangi biaya produksi.
• Siklus pemeliharaan peralatan diperpanjang dari biasanya 3 bulan menjadi 6 bulan, sehingga mengurangi frekuensi pemeliharaan penghentian dan meningkatkan efisiensi produksi.
  
  

Skenario Aplikasi

• Rakitan Tungku Pertumbuhan PVT: Berfungsi sebagai komponen inti untuk sublimasi material SiC dan pertumbuhan kristal, menyediakan distribusi medan termal yang stabil dan seragam untuk memastikan kelancaran proses kristalisasi.
• Komponen Pelindung Medan Termal: Struktur berpori yang unik dapat secara efektif menahan tekanan termal, mengurangi keausan peralatan, dan memperpanjang masa pakai peralatan secara keseluruhan.
• Aksesori Pendukung Kristal Benih: Memiliki kekuatan mekanik yang tinggi untuk menopang kristal benih secara stabil, memastikan ketepatan arah pertumbuhan kristal.
• Lapisan Difusi Gas: Mengoptimalkan efisiensi transfer fase gas, mendorong sublimasi dan pengendapan bahan mentah yang seragam, dan selanjutnya meningkatkan kualitas kristal tunggal dan laju pertumbuhan.

Parameter Teknis

Sorotan Kompetitif Inti

• Kinerja Suhu Tinggi Ekstrim: Mempertahankan stabilitas struktural pada 2200℃ tanpa pelunakan atau deformasi, mendukung pengoperasian berkelanjutan selama lebih dari 1000 jam untuk memenuhi persyaratan proses ekstrem.
• Solusi Bidang Termal yang Disesuaikan: Mengandalkan teknologi simulasi CFD untuk mengoptimalkan desain gradien pori, mencocokkan kebutuhan proses pelanggan secara akurat, dan meningkatkan keseragaman kristal serta hasil produk.
• Layanan Respons Cepat: Menyediakan layanan pengujian pencocokan parameter proses dan memberikan solusi prototipe dalam waktu 72 jam, membantu pelanggan mempercepat penelitian dan pengembangan serta proses produksi.