Produk

Pertumbuhan kristal silikon karbida adalah proses inti dalam pembuatan perangkat semikonduktor berkinerja tinggi. Stabilitas, presisi, dan kompatibilitas peralatan pertumbuhan kristal secara langsung menentukan kualitas dan hasil ingot silikon karbida. Berdasarkan karakteristik teknologi Pengangkutan Uap Fisik (PVT), Veteksemi telah mengembangkan tungku pemanas tahan untuk pertumbuhan kristal silikon karbida, memungkinkan pertumbuhan stabil kristal silikon karbida berukuran 6 inci, 8 inci, dan 12 inci dengan kompatibilitas penuh dengan sistem material konduktif, semi-isolasi, dan tipe-N. Melalui kontrol suhu, tekanan, dan daya yang presisi, produk ini secara efektif mengurangi cacat kristal seperti EPD (Etch Pit Density) dan BPD (Basal Plane Dislocation), sekaligus menampilkan konsumsi energi yang rendah dan desain yang ringkas untuk memenuhi standar tinggi produksi industri skala besar.

Teknologi pengikatan benih SiC adalah salah satu proses utama yang mempengaruhi pertumbuhan kristal. VETEK telah mengembangkan tungku pengepres panas vakum khusus untuk pengikatan benih berdasarkan karakteristik proses ini. Tungku dapat secara efektif mengurangi berbagai cacat yang ditimbulkan selama proses pengikatan benih, sehingga meningkatkan hasil dan kualitas akhir kristal ingot.

Ruang Reaktor Epitaksi Lapis SiC Veteksemicon adalah komponen inti yang dirancang untuk menuntut proses pertumbuhan epitaksi semikonduktor. Memanfaatkan deposisi uap kimia (CVD) tingkat lanjut, produk ini membentuk lapisan SiC yang padat dengan kemurnian tinggi pada substrat grafit berkekuatan tinggi, menghasilkan stabilitas suhu tinggi dan ketahanan korosi yang unggul. Ini secara efektif menahan efek korosif gas reaktan di lingkungan proses bersuhu tinggi, secara signifikan menekan kontaminasi partikulat, memastikan kualitas bahan epitaksi yang konsisten dan hasil yang tinggi, dan secara substansial memperpanjang siklus pemeliharaan dan umur ruang reaksi. Ini adalah pilihan utama untuk meningkatkan efisiensi produksi dan keandalan semikonduktor pita lebar seperti SiC dan GaN.

Silicon Cassette Boat dari Veteksemicon adalah pembawa wafer rekayasa presisi yang dikembangkan khusus untuk aplikasi tungku semikonduktor suhu tinggi, termasuk oksidasi, difusi, drive-in, dan anil. Dibuat dari silikon dengan kemurnian sangat tinggi dan diselesaikan dengan standar pengendalian kontaminasi tingkat lanjut, produk ini menyediakan platform yang stabil secara termal dan inert secara kimia yang sangat cocok dengan sifat wafer silikon itu sendiri. Penyelarasan ini meminimalkan tekanan termal, mengurangi pembentukan slip dan cacat, dan memastikan distribusi panas yang sangat seragam ke seluruh batch

Dalam proses inti pertumbuhan epitaksi silikon karbida, Veteksemicon memahami bahwa kinerja susceptor secara langsung menentukan kualitas dan efisiensi produksi lapisan epitaksi. Susceptor EPI kami dengan kemurnian tinggi, dirancang khusus untuk bidang SiC, menggunakan substrat grafit khusus dan lapisan SiC CVD yang padat. Dengan stabilitas termal yang unggul, ketahanan terhadap korosi yang luar biasa, dan laju pembentukan partikel yang sangat rendah, produk ini memastikan ketebalan dan keseragaman doping yang tak tertandingi bagi pelanggan bahkan dalam lingkungan proses bersuhu tinggi yang keras. Memilih Veteksemicon berarti memilih landasan keandalan dan kinerja untuk proses manufaktur semikonduktor tingkat lanjut Anda.

Susceptor grafit berlapis Veteksemicon SiC untuk ASM adalah komponen pembawa inti dalam proses epitaksi semikonduktor. Produk ini menggunakan teknologi pelapisan silikon karbida pirolitik milik kami dan proses pemesinan presisi untuk memastikan kinerja unggul dan masa pakai yang sangat lama di lingkungan proses bersuhu tinggi dan korosif. Kami sangat memahami persyaratan ketat proses epitaxial pada kemurnian substrat, stabilitas termal, dan konsistensi, dan berkomitmen untuk menyediakan solusi yang stabil dan andal kepada pelanggan yang meningkatkan kinerja peralatan secara keseluruhan.