Menu Web

Pencarian Produk

Bahasa

Produk
Tungku pertumbuhan kristal SiC pemanas resistensi berukuran besar
  • Tungku pertumbuhan kristal SiC pemanas resistensi berukuran besarTungku pertumbuhan kristal SiC pemanas resistensi berukuran besar

Tungku pertumbuhan kristal SiC pemanas resistensi berukuran besar

Pertumbuhan kristal silikon karbida adalah proses inti dalam pembuatan perangkat semikonduktor berkinerja tinggi. Stabilitas, presisi, dan kompatibilitas peralatan pertumbuhan kristal secara langsung menentukan kualitas dan hasil ingot silikon karbida. Berdasarkan karakteristik teknologi Pengangkutan Uap Fisik (PVT), Veteksemi telah mengembangkan tungku pemanas tahan untuk pertumbuhan kristal silikon karbida, memungkinkan pertumbuhan stabil kristal silikon karbida berukuran 6 inci, 8 inci, dan 12 inci dengan kompatibilitas penuh dengan sistem material konduktif, semi-isolasi, dan tipe-N. Melalui kontrol suhu, tekanan, dan daya yang presisi, produk ini secara efektif mengurangi cacat kristal seperti EPD (Etch Pit Density) dan BPD (Basal Plane Dislocation), sekaligus menampilkan konsumsi energi yang rendah dan desain yang ringkas untuk memenuhi standar tinggi produksi industri skala besar.
mengirimkan permintaan
Deskripsi Produk

Parameter Teknis

Parameter
 Spesifikasi
Proses Pertumbuhan
 Transportasi Uap Fisik (PVT)
Metode Pemanasan
 Pemanasan tahan grafit
Ukuran Kristal yang Dapat Disesuaikan
 6 inci, 8 inci, 12 inci (dapat diganti; waktu penggantian ruang < 4 jam)
Jenis Kristal yang Kompatibel
 Tipe konduktif, tipe semi-isolasi, tipe-N (seri penuh)
Suhu Operasional Maksimum
 ≥2400℃
Vakum Tertinggi
 ≤9×10⁻⁵Pa (kondisi tungku dingin)
Tingkat Kenaikan Tekanan
 ≤1.0Pa/12 jam (tungku dingin)
Kekuatan Pertumbuhan Kristal
 34.0KW
Akurasi Kontrol Daya
 ±0,15% (dalam kondisi pertumbuhan stabil)
Akurasi Kontrol Tekanan
 0,15Pa (tahap pertumbuhan); fluktuasi <±0,001 Torr (pada 1,0Torr)
Kepadatan Cacat Kristal
 BPD <381 unit/cm²; TED < 1054 unit/cm²
Tingkat Pertumbuhan Kristal
 0,2-0,3 mm/jam
Tinggi Pertumbuhan Kristal
 30-40mm
Dimensi Keseluruhan (L×D×T)
 ≤1800mm×3300mm×2700mm


Keuntungan Inti


 ● Kompatibilitas Ukuran Penuh

Memungkinkan pertumbuhan stabil kristal silikon karbida 6 inci, 8 inci, dan 12 inci, sepenuhnya kompatibel dengan sistem material tipe konduktif, semi-isolasi, dan tipe-N. Ini mencakup kebutuhan produksi produk dengan spesifikasi berbeda dan beradaptasi dengan beragam skenario aplikasi.


● Stabilitas Proses yang Kuat

Kristal 8 inci memiliki konsistensi politipe 4H yang sangat baik, bentuk permukaan yang stabil, dan kemampuan pengulangan yang tinggi; teknologi pertumbuhan kristal silikon karbida 12 inci telah menyelesaikan verifikasi dengan kelayakan produksi massal yang tinggi.


● Tingkat Cacat Kristal Rendah

Melalui kontrol suhu, tekanan, dan daya yang tepat, cacat kristal dikurangi secara efektif dengan indikator utama yang memenuhi standar—EPD=1435 ea/cm², BPD=381 ea/cm², TSD=0 ea/cm², dan TED=1054 ea/cm². Semua indikator cacat memenuhi persyaratan kualitas kristal bermutu tinggi, sehingga meningkatkan hasil ingot secara signifikan.


● Biaya Operasional Terkendali

Ini memiliki konsumsi energi terendah di antara produk sejenis. Komponen inti (seperti pelindung isolasi termal) memiliki siklus penggantian yang lama yaitu 6-12 bulan, sehingga mengurangi biaya pengoperasian komprehensif.


● Kenyamanan Pasang dan Mainkan

Paket resep dan proses yang disesuaikan berdasarkan karakteristik peralatan, diverifikasi melalui produksi jangka panjang dan multi-batch, memungkinkan produksi segera setelah instalasi.


● Keamanan dan Keandalan

Mengadopsi desain percikan anti-busur khusus untuk menghilangkan potensi bahaya keselamatan; fungsi pemantauan dan peringatan dini secara real-time secara proaktif menghindari risiko operasional.


● Performa Vakum Luar Biasa

Indikator tingkat vakum dan kenaikan tekanan tertinggi melampaui tingkat tertinggi secara internasional, memastikan lingkungan yang bersih untuk pertumbuhan kristal.


● Pengoperasian dan Pemeliharaan Cerdas

Dilengkapi antarmuka HMI intuitif yang dikombinasikan dengan perekaman data komprehensif, mendukung fungsi pemantauan jarak jauh opsional untuk manajemen produksi yang efisien dan nyaman.


Tampilan Visual Kinerja Inti


Kurva Akurasi Kontrol Suhu

Temperature Control Accuracy Curve

Akurasi kontrol suhu tungku pertumbuhan kristal ≤ ±0,3°C; Ikhtisar kurva suhu



Grafik Akurasi Kontrol Tekanan


Pressure Control Accuracy Graph

Akurasi kontrol tekanan tungku pertumbuhan kristal: 1,0 Torr, Akurasi kontrol tekanan: 0,001 Torr


Stabilitas Daya Presisi


Stabilitas dan konsistensi antar tungku/batch: Keakuratan stabilitas daya

Power Stability Precision

Di bawah status pertumbuhan kristal, keakuratan kontrol daya selama pertumbuhan kristal stabil adalah ±0,15%.


Toko produk Veteksemicon

Veteksemicon products shop



Tag Panas: Tungku pertumbuhan kristal SiC pemanas resistensi berukuran besar
Kategori Terkait
mengirimkan permintaan
Info kontak
Untuk pertanyaan tentang Lapisan Silikon Karbida, Lapisan Tantalum Karbida, Grafit Khusus atau daftar harga, silakan tinggalkan email Anda kepada kami dan kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam.
Produk-produk terkait
Rekomendasi Berita
Bagaimana Teknologi CMP Membentuk Kembali Lanskap Manufaktur Chip
Bagaimana Teknologi CMP Membentuk Kembali Lanskap Manufaktur ChipLihat Lebih Banyak >>
Apa itu perahu grafit PECVD?
Apa itu perahu grafit PECVD?Lihat Lebih Banyak >>
Aplikasi bagian grafit berlapis tac dalam tungku kristal tunggal
Aplikasi bagian grafit berlapis tac dalam tungku kristal tunggalLihat Lebih Banyak >>
Apa itu perahu kuarsa?
Apa itu perahu kuarsa?Lihat Lebih Banyak >>
Karakteristik epitaksi silikon
Karakteristik epitaksi silikonLihat Lebih Banyak >>
Ringkasan Proses Pembuatan Silikon Karbida (SiC).
Ringkasan Proses Pembuatan Silikon Karbida (SiC).Lihat Lebih Banyak >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept