Berita

Melalui kemajuan teknologi yang berkelanjutan dan penelitian mekanisme yang mendalam, teknologi heteroepitaksial 3C-SiC diharapkan dapat memainkan peran yang lebih penting dalam industri semikonduktor dan mendorong pengembangan perangkat elektronik berefisiensi tinggi.

ALD spasial, pengendapan lapisan atom yang terisolasi secara spasial. Wafer berpindah antara posisi yang berbeda dan terkena prekursor yang berbeda pada setiap posisi. Gambar di bawah adalah perbandingan antara ALD tradisional dan ALD yang terisolasi secara spasial.

Baru -baru ini, Institut Penelitian Jerman Fraunhofer IISB telah membuat terobosan dalam penelitian dan pengembangan teknologi pelapisan Tantalum carbide, dan mengembangkan solusi pelapisan semprot yang lebih fleksibel dan ramah lingkungan daripada solusi deposisi CVD, dan telah dikomersialkan.

Di era pengembangan teknologi yang cepat, pencetakan 3D, sebagai perwakilan penting dari teknologi manufaktur canggih, secara bertahap mengubah wajah manufaktur tradisional. Dengan kedewasaan teknologi yang berkelanjutan dan pengurangan biaya, teknologi pencetakan 3D telah menunjukkan prospek aplikasi yang luas di banyak bidang seperti kedirgantaraan, manufaktur mobil, peralatan medis, dan desain arsitektur, dan telah mempromosikan inovasi dan pengembangan industri ini.

Bahan kristal tunggal saja tidak dapat memenuhi kebutuhan pertumbuhan produksi berbagai perangkat semikonduktor. Pada akhir tahun 1959, lapisan tipis teknologi pertumbuhan material kristal tunggal - pertumbuhan epitaxial dikembangkan.

Silikon karbida adalah salah satu bahan yang ideal untuk membuat perangkat suhu tinggi, frekuensi tinggi, daya tinggi dan tegangan tinggi. Untuk meningkatkan efisiensi produksi dan mengurangi biaya, persiapan substrat silikon karbida berukuran besar adalah arah pengembangan yang penting.