Bahan baku SiC CVD Kemurnian Tinggi 7N

1. Faktor Kinerja Inti

• Kemurnian Kelas 7N: Kami menjaga kemurnian konsisten sebesar 99,99999% (7N), menjaga pengotor logam pada tingkat ppb. Hal ini penting untuk menumbuhkan kristal semi-isolasi resistivitas tinggi (HPSI) dan memastikan nol kontaminasi pada aplikasi daya atau RF.
• Stabilitas Struktural vs. C-Debu: Tidak seperti bubuk tradisional yang cenderung hancur atau mengeluarkan butiran halus selama sublimasi, curah CVD berbutir besar kami tetap stabil secara struktural. Hal ini mencegah migrasi debu karbon (debu C) ke zona pertumbuhan—penyebab utama inklusi kristal dan cacat pipa mikro.
• Kinetika Pertumbuhan yang Dioptimalkan: Dirancang untuk manufaktur skala industri, sumber ini mendukung tingkat pertumbuhan hingga 1,46 mm/jam. Ini mewakili peningkatan 2x hingga 3x dibandingkan 0,3–0,8 mm/jam yang biasanya dicapai dengan metode berbasis bubuk konvensional.
• Manajemen Gradien Termal: Kepadatan curah yang tinggi dan geometri spesifik blok kami menciptakan gradien suhu yang lebih agresif di dalam wadah. Hal ini mendorong pelepasan uap Silikon dan Karbon secara seimbang, sehingga mengurangi fluktuasi "kaya Si awal / kaya C akhir" yang mengganggu proses standar.
• Optimasi Pemuatan Wadah: Bahan kami memungkinkan peningkatan kapasitas pemuatan sebesar 2kg+ untuk cawan lebur berukuran 8 inci dibandingkan dengan metode bubuk. Hal ini memungkinkan pertumbuhan ingot yang lebih panjang per siklus, yang secara langsung meningkatkan tingkat hasil pasca produksi hingga 100%.

1. Spesifikasi Teknis

Perbandingan: Bubuk Tradisional vs. VETEK CVD Massal