Susceptor Epitaksi pelapis CVD SiC

CVD SiC Coating Epitaxy Susceptor dari Veteksemicon adalah alat rekayasa presisi yang dirancang untuk pemrosesan wafer semikonduktor. Susceptor Epitaxy Lapisan SiC ini memainkan peran penting dalam mendorong pertumbuhan film tipis, epilayer, dan pelapis lainnya, dan dapat mengontrol suhu dan sifat material secara tepat. Selamat datang pertanyaan Anda lebih lanjut.

Dasarsifat fisik lapisan CVD SiC:

Keunggulan Produk Susceptor Epitaksi Lapisan SiC CVD:

● Deposisi yang Tepat: Susceptor menggabungkan substrat grafit yang sangat konduktif terhadap panas dengan lapisan SiC untuk menyediakan platform pendukung yang stabil untuk substrat (seperti safir, SiC, atau GaN). Konduktivitas termalnya yang tinggi (seperti SiC sekitar 120 W/m·K) dapat dengan cepat mentransfer panas dan memastikan distribusi suhu yang seragam pada permukaan substrat, sehingga mendorong pertumbuhan lapisan epitaksial berkualitas tinggi.

● Mengurangi Kontaminasi: Lapisan SiC yang dibuat dengan proses CVD memiliki kemurnian yang sangat tinggi (kandungan pengotor <5 ppm) dan sangat tahan terhadap gas korosif (seperti Cl₂, NH₃), menghindari kontaminasi pada lapisan epitaksi.

● Daya tahan: Kekerasan SiC yang tinggi (kekerasan Mohs 9,5) dan ketahanan aus mengurangi hilangnya mekanis alas selama penggunaan berulang dan cocok untuk proses produksi semikonduktor frekuensi tinggi.

VeTeksemicon berkomitmen menyediakan produk berkualitas tinggi dan harga bersaing. Kami  berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di Tiongkok.

Semikonduktor VeTek Toko produk: