Suseptor Berlapis CVD TaC

Definisi dan Komposisi Produk

Susceptor Berlapis TaC VETEK CVD adalah komponen pembawa wafer kelas atas yang khusus digunakan untuk pemrosesan epitaksi semikonduktor generasi ketiga (SiC, GaN, AlN). Produk ini menggabungkan keunggulan fisik dari dua material berperforma tinggi:

Substrat Grafit Kemurnian Tinggi: Memanfaatkan proses pencetakan pengepresan isostatik untuk memastikan substrat memiliki kekuatan struktural yang unggul, kepadatan tinggi, dan stabilitas pemrosesan termal.

Lapisan CVD TaC: Lapisan pelindung Tantalum Carbide (TaC) yang padat dan bebas stres ditanam pada permukaan grafit melalui teknologi Chemical Vapor Deposition (CVD) yang canggih.

Keunggulan Teknis Inti: Kemampuan Beradaptasi Lingkungan Ekstrim yang Luar Biasa

Dalam proses MOCVD, lapisan TaC tidak hanya merupakan lapisan pelindung fisik namun juga inti untuk memastikan pengulangan proses:

Toleransi terhadap Suhu Tinggi Ekstrim: TaC memiliki titik leleh setinggi 3880°C, menjaga stabilitas bentuk yang sangat baik bahkan dalam proses epitaksi suhu sangat tinggi di atas 1600°C.

Ketahanan Korosi Yang Sangat Baik: Dalam lingkungan pereduksi kuat yang mengandung NH₃(Amonia) atau H₂(Hidrogen), laju korosi TaC sangat rendah, sehingga secara efektif mencegah hilangnya substrat dan pengendapan pengotor.

Jaminan Kemurnian Sangat Tinggi: Kemurnian lapisan mencapai 99,9995%. Strukturnya yang padat menutup pori-pori mikro grafit sepenuhnya, memastikan film epitaksi mencapai tingkat pengotor yang sangat rendah.

Distribusi Medan Termal yang Tepat: Teknologi kontrol pelapisan VETEK yang dioptimalkan memastikan perbedaan suhu permukaan suseptor terkontrol dalam ±2°C, secara signifikan meningkatkan ketebalan dan konsistensi panjang gelombang lapisan epitaksi wafer.

Parameter Teknis

Lapisan Tantalum karbida (TaC) pada penampang mikroskopis:

Bidang Aplikasi Inti

Pertumbuhan Epitaksi SiC (Silicon Carbide).: Mendukung produksi perangkat daya SiC berukuran 6 inci, 8 inci, dan lebih besar.

Perangkat Berbasis GaN (Gallium Nitrida).: Digunakan dalam proses MOCVD untuk LED kecerahan tinggi, perangkat daya HEMT, dan chip RF.

AlN (Aluminium Nitrida) dan Pertumbuhan UVC: Menyediakan solusi pembawa suhu tinggi yang ekstrim (1400°C+) untuk material celah pita ultra lebar seperti LED UV Dalam.

Dukungan Penelitian yang Disesuaikan: Menyesuaikan dengan kebutuhan penyesuaian presisi lembaga penelitian untuk berbagai bagian tidak beraturan dan disk multi-lubang.

Model yang Kompatibel dan Layanan Kustomisasi

VETEK memiliki kemampuan pemrosesan dan pelapisan mekanis yang presisi, beradaptasi secara sempurna dengan peralatan MOCVD arus utama global:

AIXTRON: Mendukung berbagai disk dan pangkalan rotasi planet.

Veeco: Mendukung K465i, Propel, dan seri susceptor vertikal lainnya.

dan Lainnya: Menyediakan suku cadang pengganti atau solusi peningkatan yang sepenuhnya kompatibel.