Produk
Susceptor Dilapisi Tantalum Carbide(TaC) CVD
  • Susceptor Dilapisi Tantalum Carbide(TaC) CVDSusceptor Dilapisi Tantalum Carbide(TaC) CVD
  • Susceptor Dilapisi Tantalum Carbide(TaC) CVDSusceptor Dilapisi Tantalum Carbide(TaC) CVD
  • Susceptor Dilapisi Tantalum Carbide(TaC) CVDSusceptor Dilapisi Tantalum Carbide(TaC) CVD

Susceptor Dilapisi Tantalum Carbide(TaC) CVD

Susceptor Berlapis TaC CVD VETEK menggabungkan substrat grafit isostatik dengan kemurnian tinggi dengan lapisan tantalum karbida (TaC) CVD yang padat untuk menghasilkan stabilitas termal yang luar biasa, ketahanan terhadap korosi, dan pembentukan partikel rendah untuk epitaksi semikonduktor yang menuntut. Dirancang untuk pertumbuhan epitaksi SiC, GaN, dan AlN, ini meminimalkan kontaminasi, meningkatkan keseragaman suhu wafer, dan memperpanjang masa pakai komponen dalam proses MOCVD dan CVD suhu tinggi.

Fitur Utama

Stabilitas Suhu Tinggi: Mempertahankan kinerja yang stabil dalam kondisi pemrosesan suhu tinggi yang berkepanjangan.
Ketahanan Korosi: Lapisan TaC yang padat memberikan perlindungan efektif terhadap gas proses korosif.
Generasi Partikel Rendah: Struktur lapisan padat membantu mengurangi kontaminasi selama pertumbuhan epitaksi.
Keseragaman Termal yang Sangat Baik:  Mendukung distribusi panas yang seragam untuk meningkatkan konsistensi proses.
Umur Panjang: Ketahanan aus yang tinggi berkontribusi terhadap pengurangan perawatan dan siklus pengoperasian yang lebih lama.


Aplikasi

Aplikasi yang umum meliputi:

• Pertumbuhan Epitaksi SiC

• Epitaksi GaN MOCVD

• Pertumbuhan Epitaksial AlN

• Manufaktur Semikonduktor Generasi Ketiga

• Elektronik Berkekuatan Tinggi

• Perangkat RF

• Produksi MikroLED

• Penelitian dan Sistem Produksi Percontohan


Peralatan yang Kompatibel

Platform yang kompatibel meliputi:

• Aixtron

• LPE

• Veeco

• AMEK

• NuFlare

• Reaktor CVD & MOCVD Kustom


Juga tersedia:

• Pembawa Wafer

• Penerima Planet

• Penerima Barel

• Rotasi Disk

• Bagian Bulan Setengah

• Pelat Penutup

• Rakitan Grafit

• Komponen Medan Termal Khusus


Spesifikasi Teknis

Bahan Substrat

Grafit Isostatik Kemurnian Tinggi

Bahan Pelapis

CVD Tantalum Karbida (TaC)

Ketebalan Lapisan
20–40 μm (Dapat Disesuaikan)
Kemurnian Lapisan
Hingga 99,9995%
Suhu Kerja Maksimum

>2000°C (Suasana Inert)

Kepadatan
14,3 gram/cm³
Kekerasan
~2000HK
Koefisien Ekspansi Termal
6,3 × 10⁻⁶/K
Resistivitas Listrik
1 × 10⁻⁵ Ω·cm
Ukuran yang Tersedia
Disesuaikan
Aplikasi Khas
SiC, GaN, AlN Epitaksi

Pertanyaan yang Sering Diajukan

1. Apa yang dimaksud dengan Susceptor Berlapis CVD TaC?

Komponen grafit dengan kemurnian tinggi yang dilindungi oleh lapisan CVD TaC padat yang digunakan sebagai pembawa wafer selama pertumbuhan epitaksial.

2. Mengapa menggunakan coklat TaCting bukannya lapisan SiC?

TaC menawarkan ketahanan suhu yang lebih tinggi, stabilitas kimia yang unggul, dan masa pakai yang lebih lama.

3.Proses semikonduktor mana yang menggunakan TaC-creseptor oat?

Epitaksi SiC, GaN MOCVD, epitaksi AlN, dan proses pertumbuhan kristal suhu tinggi lainnya.

4. Bisakah VETEK memproduksi susceptor khusus?

Ya. Kami menyediakan desain khusus berdasarkan gambar pelanggan dan persyaratan proses.

5. Merek reaktor apa yang didukung?

Aixtron, LPE, Veeco, AMEC, NuFlare, dan sistem utama lainnya.


Tag Panas: Susceptor Berlapis TaC CVD, Susceptor Grafit Berlapis TaC, Susceptor Semikonduktor, Susceptor Epitaksi SiC, Susceptor MOCVD, Pembawa Wafer Grafit, Lapisan Tantalum Karbida, Susceptor Epitaksi, Bagian Grafit Semikonduktor
mengirimkan permintaan
Info kontak
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Kami menggunakan cookie untuk menawarkan Anda pengalaman penelusuran yang lebih baik, menganalisis lalu lintas situs, dan mempersonalisasi konten. Dengan menggunakan situs ini, Anda menyetujui penggunaan cookie kami.Kebijakan Privasi