Bahan & Desain

Memilih kombinasi substrat dan pelapis yang cocok adalah kunci untuk mencegah kegagalan dini komponen, mengurangi kontaminasi partikel, dan memaksimalkan hasil wafer. Kami menyediakan solusi desain material dan struktural yang disesuaikan dengan jendela proses spesifik pelanggan (suhu pengoperasian, bahan kimia gas reaktif, laju ramp).

Kemampuan Desain Inti kami:

• Pencocokan Stres CTE yang Ketat:Untuk siklus termal yang cepat (>100 °C/menit), kami secara tepat mencocokkan kurva suhu CTE dari substrat grafit dengan kemurnian tinggi dan pelapis CVD, sehingga secara mendasar mengurangi risiko delaminasi lapisan dan keretakan mikro.
• Pemilihan Pelapisan Proses-Skenario-Khusus:Pelapisan CVD SiC untuk lingkungan epitaksi Si/SiC (Epi), MOCVD, dan etsa plasma; Lapisan CVD TaC untuk suhu yang lebih tinggi dan kondisi yang sangat korosif (misalnya, pertumbuhan PVT kristal tunggal SiC).
• Resistivitas Terkendali & Optimasi Konduktivitas Termal:Kontrol yang tepat terhadap resistivitas massal dan konduktivitas termal substrat dan lapisan untuk memenuhi persyaratan medan listrik dan termal spesifik dari RF, chuck elektrostatis ESC, atau Zona Pemanasan.
• Pengendalian Sumber Kontaminasi & Pengurangan CoO:Lapisan deposisi CVD dengan kemurnian tinggi menutup rapat grafit berpori, secara signifikan mengurangi pelepasan partikel, difusi pengotor logam ultra-jejak, dan risiko keluarnya gas pada suhu tinggi.

Perbandingan Pemilihan Lapisan pada Umumnya (Panduan Sekilas)

Kasus Nyata & Manfaat Pelanggan (Pengalaman):

Produsen epitaksi SiC (Epi) terkemuka:Komponen asli menggunakan lapisan CVD TaC yang tidak serasi, sehingga mengakibatkan tekanan antarmuka yang berlebihan dan seringnya retakan mikro pada suhu tinggi. Kami menjalankan kembali simulasi termodinamika dan beralih ke aSubstrat grafit kemurnian tinggi khusus yang cocok dengan CTE + lapisan penyangga + lapisan SiC CVDlarutan. Hasil: rata-rata masa pakai komponen meningkat dari 200 jam menjadi 850 jam; frekuensi penggantian tahunan per alat turun dari 40 menjadi 9 kali; Penghematan biaya O&M peralatan komprehensif melebihi RMB 650.000 per tahun.

Laporan analisis kemurnian GDMS untuk pelapis TaC dan SiC

Pertanyaan Umum

Mulai Layanan Eksklusif Anda Sekarang