Berita

Berita

Kami dengan senang hati berbagi dengan Anda tentang hasil pekerjaan kami, berita perusahaan, dan memberi Anda perkembangan tepat waktu serta ketentuan pengangkatan dan pemindahan personel.
Evolusi CVD-SiC dari Lapisan Film Tipis menjadi Material Massal10 2026-04

Evolusi CVD-SiC dari Lapisan Film Tipis menjadi Material Massal

Bahan dengan kemurnian tinggi sangat penting untuk pembuatan semikonduktor. Proses ini melibatkan panas ekstrem dan bahan kimia korosif. CVD-SiC (Chemical Vapour Deposition Silicon Carbide) memberikan stabilitas dan kekuatan yang diperlukan. Sekarang menjadi pilihan utama untuk suku cadang peralatan canggih karena kemurnian dan kepadatannya yang tinggi.
Hambatan Tak Terlihat dalam Pertumbuhan SiC: Mengapa bahan baku SiC CVD Massal 7N Menggantikan Bubuk Tradisional07 2026-04

Hambatan Tak Terlihat dalam Pertumbuhan SiC: Mengapa bahan baku SiC CVD Massal 7N Menggantikan Bubuk Tradisional

Dalam dunia semikonduktor Silicon Carbide (SiC), sebagian besar sorotan tertuju pada reaktor epitaksi 8 inci atau seluk-beluk pemolesan wafer. Namun, jika kita menelusuri rantai pasokan kembali ke awal—di dalam tungku Pengangkutan Uap Fisik (PVT)—sebuah "revolusi material" mendasar sedang terjadi secara diam-diam.
Wafer Piezoelektrik PZT: Solusi Berkinerja Tinggi untuk MEMS Generasi Berikutnya20 2026-03

Wafer Piezoelektrik PZT: Solusi Berkinerja Tinggi untuk MEMS Generasi Berikutnya

Di era evolusi MEMS (Sistem Mikro-Elektromekanis) yang cepat, pemilihan bahan piezoelektrik yang tepat adalah keputusan yang menentukan kinerja perangkat. Wafer film tipis PZT (Lead Zirconate Titanate) telah muncul sebagai pilihan utama dibandingkan alternatif seperti AlN (Aluminium Nitride), menawarkan kopling elektromekanis yang unggul untuk sensor dan aktuator mutakhir.
Susceptor Kemurnian Tinggi: Kunci Hasil Wafer Semikon yang Disesuaikan pada tahun 202614 2026-03

Susceptor Kemurnian Tinggi: Kunci Hasil Wafer Semikon yang Disesuaikan pada tahun 2026

Ketika manufaktur semikonduktor terus berkembang menuju node proses yang canggih, integrasi yang lebih tinggi, dan arsitektur yang kompleks, faktor-faktor penentu hasil wafer sedang mengalami perubahan halus. Untuk pembuatan wafer semikonduktor yang disesuaikan, titik terobosan dalam hasil tidak lagi hanya terletak pada proses inti seperti litografi atau etsa; kerentanan dengan kemurnian tinggi semakin menjadi variabel mendasar yang mempengaruhi stabilitas dan konsistensi proses.
Lapisan SiC vs. TaC: Perisai Utama untuk Susceptor Grafit dalam Pemrosesan Semi Bertenaga Suhu Tinggi05 2026-03

Lapisan SiC vs. TaC: Perisai Utama untuk Susceptor Grafit dalam Pemrosesan Semi Bertenaga Suhu Tinggi

Dalam dunia semikonduktor pita lebar (WBG), jika proses manufaktur tingkat lanjut adalah “jiwanya”, maka kerentanan grafit adalah “tulang punggung”, dan lapisan permukaannya adalah “kulit” yang penting.
Nilai Kritis Planarisasi Mekanik Kimia (CMP) pada Manufaktur Semikonduktor Generasi Ketiga06 2026-02

Nilai Kritis Planarisasi Mekanik Kimia (CMP) pada Manufaktur Semikonduktor Generasi Ketiga

Di dunia elektronika daya yang penuh risiko, Silicon Carbide (SiC) dan Gallium Nitride (GaN) menjadi ujung tombak revolusi—dari Kendaraan Listrik (EV) hingga infrastruktur energi terbarukan. Namun, kekerasan dan kelembaman kimiawi yang legendaris dari bahan-bahan ini menghadirkan hambatan produksi yang besar.
X
Kami menggunakan cookie untuk menawarkan Anda pengalaman penelusuran yang lebih baik, menganalisis lalu lintas situs, dan mempersonalisasi konten. Dengan menggunakan situs ini, Anda menyetujui penggunaan cookie kami. Kebijakan Privasi
Menolak Menerima