Berita

Berita

Kami dengan senang hati berbagi dengan Anda tentang hasil pekerjaan kami, berita perusahaan, dan memberi Anda perkembangan tepat waktu serta ketentuan pengangkatan dan pemindahan personel.
Lapisan SiC vs. TaC: Perisai Utama untuk Susceptor Grafit dalam Pemrosesan Semi Bertenaga Suhu Tinggi05 2026-03

Lapisan SiC vs. TaC: Perisai Utama untuk Susceptor Grafit dalam Pemrosesan Semi Bertenaga Suhu Tinggi

Dalam dunia semikonduktor pita lebar (WBG), jika proses manufaktur tingkat lanjut adalah “jiwanya”, maka kerentanan grafit adalah “tulang punggung”, dan lapisan permukaannya adalah “kulit” yang penting.
Nilai Kritis Planarisasi Mekanik Kimia (CMP) pada Manufaktur Semikonduktor Generasi Ketiga06 2026-02

Nilai Kritis Planarisasi Mekanik Kimia (CMP) pada Manufaktur Semikonduktor Generasi Ketiga

Di dunia elektronika daya yang penuh risiko, Silicon Carbide (SiC) dan Gallium Nitride (GaN) menjadi ujung tombak revolusi—dari Kendaraan Listrik (EV) hingga infrastruktur energi terbarukan. Namun, kekerasan dan kelembaman kimiawi yang legendaris dari bahan-bahan ini menghadirkan hambatan produksi yang besar.
Kunci Efisiensi dan Optimalisasi Biaya: Analisis Pengendalian Stabilitas Bubur CMP dan Strategi Seleksi30 2026-01

Kunci Efisiensi dan Optimalisasi Biaya: Analisis Pengendalian Stabilitas Bubur CMP dan Strategi Seleksi

Dalam manufaktur semikonduktor, proses Planarisasi Mekanik Kimia (CMP) adalah tahap inti untuk mencapai planarisasi permukaan wafer, yang secara langsung menentukan keberhasilan atau kegagalan langkah litografi berikutnya. Sebagai bahan habis pakai yang penting dalam CMP, kinerja Polishing Slurry adalah faktor utama dalam mengendalikan Removal Rate (RR), meminimalkan cacat, dan meningkatkan hasil keseluruhan.
X
Kami menggunakan cookie untuk menawarkan Anda pengalaman penelusuran yang lebih baik, menganalisis lalu lintas situs, dan mempersonalisasi konten. Dengan menggunakan situs ini, Anda menyetujui penggunaan cookie kami.Kebijakan Privasi
MenolakMenerima