Produk
Wafer Piezoelektrik PZT (PZT pada Si/SOI)
  • Wafer Piezoelektrik PZT (PZT pada Si/SOI)Wafer Piezoelektrik PZT (PZT pada Si/SOI)

Wafer Piezoelektrik PZT (PZT pada Si/SOI)

Seiring dengan meningkatnya permintaan akan transduser MEMS dengan sensitivitas tinggi dan daya rendah seiring dengan perluasan komunikasi 5G, perangkat medis presisi, dan perangkat pintar yang dapat dikenakan, wafer PZT pada Si/SOI kami memberikan solusi material yang penting. Memanfaatkan proses pengendapan film tipis yang canggih seperti Sol-gel atau sputtering, kami mencapai konsistensi luar biasa dan kinerja piezoelektrik yang unggul pada substrat silikon. Wafer ini berfungsi sebagai inti fundamental untuk konversi energi elektromekanis.

1. Arsitektur Teknis

Wafer kami memiliki struktur tumpukan multi-lapisan canggih yang dirancang untuk memastikan adhesi, konduktivitas, dan respons piezoelektrik yang optimal selama pemrosesan MEMS yang kompleks:

 ●Elektroda Atas (Lapisan Kunci): Pt (Platinum).

Lapisan Piezo (Lapisan Inti): PZT.

Lapisan Menengah: Termasuk Lapisan Penyangga, Elektroda Bawah, dan Lapisan Adhesi untuk mengoptimalkan orientasi butir dan stabilitas struktur.

Substrat: Kompatibel dengan wafer Si atau SOI.


PZT Piezoelectric Ceramic Wafers Physical Structure

2. Penjaminan Mutu & Analisis Struktur Mikro

Kami memastikan keandalan yang tinggi melalui karakterisasi teknis yang ketat:

Typical Stack of PZT Piezoelectric Ceramic Wafers


 ●Analisis SEM: Gambar Scanning Electron Microscopy (SEM) menunjukkan morfologi permukaan yang padat dan bebas retak dengan distribusi ukuran butir yang seragam, ideal untuk aplikasi MEMS dengan keandalan tinggi.

 ●Karakterisasi XRD: Pola Difraksi Sinar-X (XRD) mengkonfirmasi pembentukan fase perovskit murni dengan orientasi pilihan yang kuat (100), memastikan koefisien kinerja piezoelektrik maksimal.


3. Spesifikasi Teknis (Karakteristik)

Karakteristik PZT
Polikristal PZT
Konstanta piezoelektrik d31
200 pC/N
Koefisien piezoelektrik e31
-14 C/m²
Suhu Curie
X℃
Ukuran Wafer
Tersedia 4/6/8 inci


4. Aplikasi Inti


 ● Transduser Ultrasonik Mesin Mikro Piezoelektrik (pMUT): Susunan miniatur frekuensi tinggi untuk sensor sidik jari, pengenalan gerakan, dan radar ultrasonik otomotif.

 ● Komunikasi: Kunci untuk pembuatan filter FBAR atau SAW dalam 5G/6G untuk mencapai bandwidth yang lebih luas dan kehilangan penyisipan yang lebih rendah.

 ● MEMS Akustik: Memberikan respons transien yang kuat untuk speaker MEMS dan meningkatkan Rasio Signal-to-Noise (SNR) untuk mikrofon MEMS.

 ● Kontrol Cairan Presisi: Getaran berkecepatan tinggi melalui mode d31 untuk kontrol volume tetesan yang presisi pada skala nanoliter di kepala cetak inkjet.

 ● Kedokteran & Kecantikan (Pemompaan mikro): Menggerakan nebulizer medis atau pompa ultrasonik kosmetik dengan keandalan tinggi dan ukuran kompak.


5. Layanan Kustomisasi

Selain deposisi standar pada wafer Si, kami juga menyediakan layanan deposisi khusus:

 ●Kustomisasi Film & Ketebalan: Deposisi jenis film tertentu dan ketebalan khusus sesuai dengan persyaratan desain.

 ●Pengecoran OEM: Penerimaan wafer yang dipasok dari pelanggan untuk pertumbuhan film tipis piezoelektrik berkualitas tinggi.

 ●Dukungan Substrat SOI: Deposisi khusus pada wafer SOI dengan spesifikasi sebagai berikut:


wafer substrat SOI
Ukuran
Resistensi Si teratas
ketebalan
dopan
Lapisan kotak
6 inci, 8 inci
> 5000 ohm/cm




Tag Panas: Wafer Piezoelektrik PZT (PZT pada Si/SOI)
mengirimkan permintaan
Info kontak
Untuk pertanyaan tentang Lapisan Silikon Karbida, Lapisan Tantalum Karbida, Grafit Khusus atau daftar harga, silakan tinggalkan email Anda kepada kami dan kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam.
X
Kami menggunakan cookie untuk menawarkan Anda pengalaman penelusuran yang lebih baik, menganalisis lalu lintas situs, dan mempersonalisasi konten. Dengan menggunakan situs ini, Anda menyetujui penggunaan cookie kami. Kebijakan Privasi
Menolak Menerima