TAC Coating Rotation Rumceptor

VETEK Semiconductor TAC Coating Rotation Ronsceptor adalah komponen kunci untuk penanganan wafer dalam pemrosesan semikonduktor. DiaTac apaKitamemiliki toleransi suhu tinggi yang sangat baik (titik leleh hingga 3880 ° C), stabilitas kimia dan resistensi korosi, yang memastikan presisi tinggi dan kualitas tinggi dalam pemrosesan wafer.

TAC Coating Rotation Ronsceptor (Tantalum Carbon Coating Rotation Ronsceptor) adalah komponen peralatan utama yang digunakan dalam pemrosesan semikonduktor. Biasanya dipasang diDeposisi Uap Kimia (CVD)dan peralatan Balok Molecular Beam (MBE) untuk mendukung dan memutar wafer untuk memastikan pengendapan material yang seragam dan reaksi yang efisien. Jenis produk ini secara signifikan meningkatkan masa pakai dan kinerja peralatan dalam suhu tinggi dan lingkungan korosif dengan melapisi substrat denganlapisan karbon tantalum (TAC).

Kerentanan rotasi pelapisan TAC biasanya terdiri dari pelapisan TAC dan grafit atau silikon karbida sebagai bahan substrat. TAC adalah bahan keramik suhu ultra-tinggi dengan titik leleh yang sangat tinggi (titik leleh hingga 3880 ° C), kekerasan (kekerasan Vickers adalah sekitar 2000 HK) dan ketahanan korosi kimia yang sangat baik. Vetek Semiconductor dapat secara efektif dan merata menutupi lapisan karbon tantalum pada bahan substrat melalui teknologi CVD.

Rentan rotasi biasanya terbuat dari konduktivitas termal tinggi dan bahan kekuatan tinggi (grafit atausilikon karbida), yang dapat memberikan dukungan mekanis yang baik dan stabilitas termal di lingkungan suhu tinggi. Kombinasi sempurna dari keduanya menentukan kinerja sempurna dari kerentanan rotasi pelapisan TAC dalam mendukung dan berputar wafer.

TAC Coating Rotation Ronsceptor mendukung dan memutar wafer dalam proses CVD. Kekerasan Vickers TAC adalah sekitar 2000 HK, yang memungkinkannya untuk menahan gesekan bahan yang berulang dan memainkan peran pendukung yang baik, sehingga memastikan bahwa gas reaksi didistribusikan secara merata pada permukaan wafer dan bahan tersebut diendapkan secara merata. Pada saat yang sama, toleransi suhu tinggi dan ketahanan korosi lapisan TAC memungkinkannya untuk digunakan untuk waktu yang lama dalam suhu tinggi dan atmosfer korosif, yang secara efektif menghindari kontaminasi wafer dan pembawa.

Selain itu, konduktivitas termal TAC adalah 21 W/M · K, yang memiliki perpindahan panas yang baik. Oleh karena itu, kerentanan rotasi pelapisan TAC dapat memanaskan wafer secara merata di bawah kondisi suhu tinggi dan memastikan keseragaman proses pengendapan gas melalui gerakan rotasi, sehingga mempertahankan konsistensi dan kualitas tinggi daripertumbuhan wafer.

Tantalum carbide (TAC) Lapisan pada penampang mikroskopis：

Sifat fisik pelapis TAC：

Tok -toko kerentanan rotasi pelapis TAC: