CVD TAC Cincin Panduan Tiga-Petal Dilapisi

Silikon karbida bahan substrat kristal tunggal adalah jenis bahan kristal, yang termasuk bahan semikonduktor pita lebar. Ini memiliki keunggulan resistensi tegangan tinggi, resistensi suhu tinggi, frekuensi tinggi, kehilangan rendah, dll. Ini adalah bahan dasar untuk persiapan perangkat elektronik daya tinggi dan perangkat frekuensi radio gelombang mikro. Saat ini, metode utama untuk menumbuhkan kristal SIC adalah transportasi uap fisik (metode PVT), deposisi uap kimia suhu tinggi (metode HTCVD), metode fase cair, dll.

Metode Transportasi Uap Fisik (PVT) adalah teknik yang mapan yang sangat cocok untuk produksi industri skala besar. Dalam proses ini, kristal biji sic diposisikan di bagian atas wadah, sedangkan bubuk sic, berfungsi sebagai bahan baku, ditempatkan di dasar wadah. Di bawah kondisi suhu tinggi dan tekanan rendah di dalam lingkungan tertutup, bubuk SiC yang sublimat. Didorong oleh gradien suhu dan perbedaan konsentrasi, spesies sublimasi bergerak ke atas ke arah daerah dekat kristal biji. Setelah mencapai keadaan tak jenuh, rekristalisasi terjadi, memungkinkan untuk kontrol yang tepat atas ukuran dan jenis kristal spesifik dari kristal SIC yang ditumbuhkan.

CVD TAC yang dilapisi tiga - Petal Guide Ring melayani beberapa fungsi penting. Terutama, ini meningkatkan mekanika fluida dengan memandu aliran gas, memastikan bahwa area pertumbuhan kristal terpapar ke atmosfer yang seragam. Selain itu, secara efektif menghilangkan panas selama proses pertumbuhan kristal SiC. Dengan mempertahankan gradien suhu yang sesuai, ia mengoptimalkan kondisi pertumbuhan untuk kristal SIC dan mengurangi risiko cacat kristal yang disebabkan oleh distribusi suhu yang tidak merata.