Resep Deposisi Lapisan Atom ALD

Ald spasial, deposisi lapisan atom yang terisolasi secara spasial. Wafer berpindah antara posisi yang berbeda dan terkena prekursor yang berbeda pada setiap posisi. Gambar di bawah adalah perbandingan antara ALD tradisional dan ALD yang terisolasi secara spasial.

Ald temporal,Deposisi lapisan atom yang terisolasi sementara. Wafer diperbaiki dan prekursor diperkenalkan dan dihapus secara bergantian di dalam ruang. Metode ini dapat memproses wafer di lingkungan yang lebih seimbang, sehingga meningkatkan hasil, seperti kontrol yang lebih baik dari berbagai dimensi kritis. Gambar di bawah ini adalah diagram skematik ALD temporal.

Hentikan katup, tutup katup. Biasa digunakan di，resep, digunakan untuk menutup katup pompa vakum, atau membuka katup penghenti pompa vakum.

Prekursor, pendahulu. Dua atau lebih, masing-masing mengandung unsur film yang diendapkan yang diinginkan, diadsorpsi secara bergantian pada permukaan substrat, dengan hanya satu prekursor pada satu waktu, tidak bergantung satu sama lain. Setiap prekursor menjenuhkan permukaan substrat untuk membentuk lapisan tunggal. Prekursornya dapat dilihat pada gambar di bawah ini.

Pembersihan, juga dikenal sebagai pemurnian. Gas pembersih umum, gas pembersihan.Deposisi lapisan atomadalah metode untuk menyimpan film tipis dalam lapisan atom dengan secara berurutan menempatkan dua atau lebih reaktan ke dalam ruang reaksi untuk membentuk film tipis melalui dekomposisi dan adsorpsi masing -masing reaktan. Artinya, gas reaksi pertama dipasok secara berdenyut untuk menyimpan secara kimia di dalam ruang, dan gas reaksi pertama yang terikat secara fisik dihilangkan dengan membersihkan. Kemudian, gas reaksi kedua juga membentuk ikatan kimia dengan gas reaksi pertama sebagian melalui proses pulsa dan pembersihan, sehingga menyimpan film yang diinginkan pada substrat. Pembersihan dapat dilihat pada gambar di bawah ini.

Siklus. Dalam proses pengendapan lapisan atom, waktu untuk setiap gas reaksi untuk berdenyut dan dibersihkan sekali disebut siklus.

Epitaks lapisan atom.Istilah lain untuk pengendapan lapisan atom.

Trimethylaluminum, disingkat TMA, trimethylaluminum. Dalam deposisi lapisan atom, TMA sering digunakan sebagai prekursor untuk membentuk AL2O3. Biasanya, TMA dan H2O membentuk AL2O3. Selain itu, TMA dan O3 membentuk AL2O3. Gambar di bawah ini adalah diagram skematik dari deposisi lapisan atom AL2O3, menggunakan TMA dan H2O sebagai prekursor.

3-Aminopropyltriethoxysilane, disebut sebagai APTES, 3-aminopropyltrimethoxysilane. Di dalampengendapan lapisan atom, APTES sering digunakan sebagai prekursor pembentukan SiO2. Biasanya, APTES, O3 dan H2O membentuk SiO2. Gambar di bawah ini adalah diagram skema APTES.