Teknologi MOCVD

VeTek Semiconductor memiliki keunggulan dan pengalaman dalam suku cadang Teknologi MOCVD.

MOCVD, nama lengkap Deposisi Uap Kimia Logam-Organik (Deposisi Uap Kimia Logam-Organik), dapat juga disebut epitaksi fase uap logam-organik. Senyawa Organologam adalah golongan senyawa yang mempunyai ikatan logam-karbon. Senyawa ini mengandung setidaknya satu ikatan kimia antara logam dan atom karbon. Senyawa logam-organik sering digunakan sebagai prekursor dan dapat membentuk film tipis atau struktur nano pada substrat melalui berbagai teknik pengendapan.

Deposisi uap kimia logam-organik (teknologi MOCVD) adalah teknologi pertumbuhan epitaksi yang umum, teknologi MOCVD banyak digunakan dalam pembuatan laser dan led semikonduktor. Terutama saat memproduksi LED, MOCVD adalah teknologi utama untuk produksi galium nitrida (GaN) dan material terkait.

Ada dua bentuk utama Epitaksi: Epitaksi Fase Cair (LPE) dan Epitaksi Fase Uap (VPE). Epitaksi fase gas dapat dibagi lagi menjadi deposisi uap kimia logam-organik (MOCVD) dan epitaksi berkas molekul (MBE).

Produsen peralatan asing sebagian besar diwakili oleh Aixtron dan Veeco. Sistem MOCVD adalah salah satu peralatan utama untuk pembuatan laser, LED, komponen fotolistrik, daya, perangkat RF, dan sel surya.

Fitur utama suku cadang teknologi MOCVD yang diproduksi oleh perusahaan kami:

1) Kepadatan tinggi dan enkapsulasi penuh: dasar grafit secara keseluruhan berada dalam suhu tinggi dan lingkungan kerja yang korosif, permukaannya harus terbungkus sepenuhnya, dan lapisan harus memiliki pemadatan yang baik untuk memainkan peran perlindungan yang baik.

2) Kerataan permukaan yang baik: Karena dasar grafit yang digunakan untuk pertumbuhan kristal tunggal memerlukan kerataan permukaan yang sangat tinggi, kerataan asli alas harus dipertahankan setelah pelapisan disiapkan, yaitu lapisan pelapis harus seragam.

3) Kekuatan ikatan yang baik: Mengurangi perbedaan koefisien muai panas antara dasar grafit dan bahan pelapis, yang secara efektif dapat meningkatkan kekuatan ikatan antara keduanya, dan lapisan tidak mudah retak setelah mengalami panas suhu tinggi dan rendah. siklus.

4) Konduktivitas termal yang tinggi: pertumbuhan chip berkualitas tinggi memerlukan dasar grafit untuk menghasilkan panas yang cepat dan seragam, sehingga bahan pelapis harus memiliki konduktivitas termal yang tinggi.

5) Titik leleh tinggi, ketahanan oksidasi suhu tinggi, ketahanan korosi: lapisan harus dapat bekerja secara stabil pada suhu tinggi dan lingkungan kerja yang korosif.

Tempatkan substrat 4 inci
Epitaksi biru-hijau untuk menumbuhkan LED
Bertempat di ruang reaksi
Kontak langsung dengan wafer Tempatkan substrat 4 inci
Digunakan untuk menumbuhkan film epitaksi LED UV
Bertempat di ruang reaksi
Kontak langsung dengan wafer Mesin Veeco K868/Veeco K700
Epitaksi LED putih/epitaksi LED biru-hijau Digunakan dalam Peralatan VEECO
Untuk Epitaksi MOCVD
Penerima Lapisan SiC Peralatan Aixtron TS
Epitaksi Ultraviolet Dalam
Substrat 2 inci Peralatan Veeco
Epitaksi LED Merah-Kuning
Substrat Wafer 4 inci Suseptor Berlapis TaC
(Penerima LED Epi/UV SiC) Suseptor Berlapis SiC
(ALD/ Si Epi/ LED MOCVD Susceptor)