Mengapa pelapisan SiC mendapat begitu banyak perhatian? - Semikonduktor VeTek

Dalam beberapa tahun terakhir, dengan terus berkembangnya industri elektronik,semikonduktor generasi ketigaBahan telah menjadi kekuatan pendorong baru untuk pengembangan industri semikonduktor. Sebagai perwakilan khas dari bahan semikonduktor generasi ketiga, SIC telah banyak digunakan di bidang manufaktur semikonduktor, terutama di dalambidang termalbahan, karena sifat fisik dan kimianya yang sangat baik.

Jadi, apa sebenarnya SIC Coating? Dan apa ituLapisan CVD SiC?

SiC adalah senyawa terikat kovalen dengan kekerasan tinggi, konduktivitas termal yang sangat baik, koefisien ekspansi termal rendah, dan ketahanan korosi yang tinggi. Konduktivitas termalnya dapat mencapai 120-170 W/m·K, menunjukkan konduktivitas termal yang sangat baik dalam pembuangan panas komponen elektronik. Selain itu, koefisien muai panas silikon karbida hanya 4,0×10-6/K (dalam kisaran 300–800℃), yang memungkinkannya menjaga stabilitas dimensi di lingkungan bersuhu tinggi, sangat mengurangi deformasi atau kegagalan yang disebabkan oleh panas. menekankan. Lapisan silikon karbida mengacu pada lapisan yang terbuat dari silikon karbida yang dibuat pada permukaan bagian dengan pengendapan uap fisik atau kimia, penyemprotan, dll.  

Deposisi Uap Kimia (CVD)saat ini merupakan teknologi utama untuk menyiapkan lapisan SiC pada permukaan substrat. Proses utamanya adalah reaktan fasa gas mengalami serangkaian reaksi fisik dan kimia pada permukaan substrat, dan akhirnya lapisan CVD SiC diendapkan pada permukaan substrat.

Data Sem Pelapisan SiC CVD

Karena lapisan silikon karbida sangat kuat, di bidang manufaktur semikonduktor manakah lapisan tersebut memainkan peran yang besar? Jawabannya adalah aksesoris produksi epitaksi.

Lapisan SIC memiliki keunggulan utama yaitu sangat cocok dengan proses pertumbuhan epitaksial dalam hal sifat material. Berikut ini adalah peran penting dan alasan pelapisan SICSuseptor epitaksi pelapis SIC:

1. Konduktivitas termal yang tinggi dan ketahanan suhu tinggi

Suhu lingkungan pertumbuhan epitaksi bisa mencapai di atas 1000℃. Lapisan SiC memiliki konduktivitas termal yang sangat tinggi, yang secara efektif dapat menghilangkan panas dan memastikan keseragaman suhu pertumbuhan epitaksi.

2. Stabilitas kimia

Lapisan SiC memiliki kelembaman kimia yang sangat baik dan dapat menahan korosi oleh gas dan bahan kimia korosif, memastikan bahwa lapisan tersebut tidak bereaksi secara negatif dengan reaktan selama pertumbuhan epitaksi dan menjaga integritas dan kebersihan permukaan material.

3. Konstanta kisi yang cocok

Dalam pertumbuhan epitaxial, lapisan SiC dapat cocok dengan berbagai bahan epitaxial karena struktur kristalnya, yang secara signifikan dapat mengurangi ketidakcocokan kisi, sehingga mengurangi cacat kristal dan meningkatkan kualitas dan kinerja lapisan epitaxial.

4. Koefisien ekspansi termal rendah

Lapisan SiC memiliki koefisien muai panas yang rendah dan relatif dekat dengan bahan epitaksi pada umumnya. Artinya pada suhu tinggi, tidak akan terjadi tekanan yang parah antara alas dan lapisan SiC karena perbedaan koefisien muai panas, sehingga terhindar dari masalah seperti material terkelupas, retak, atau deformasi.

5. Kekerasan tinggi dan ketahanan aus

Lapisan SiC memiliki kekerasan yang sangat tinggi, jadi melapisinya di permukaan basis epitaxial dapat secara signifikan meningkatkan ketahanan aus dan memperpanjang masa pakai, sambil memastikan bahwa geometri dan kerataan permukaan pangkalan tidak rusak selama proses epitaxial.

Cross-section dan permukaan gambar lapisan SiC

Selain menjadi aksesori untuk produksi epitaxial,Lapisan sic juga memiliki keunggulan yang signifikan di bidang ini:

Operator wafer semikonduktor：Selama pemrosesan semikonduktor, penanganan dan pemrosesan wafer memerlukan kebersihan dan ketelitian yang sangat tinggi. Lapisan SiC sering digunakan pada wadah wafer, braket, dan baki.

Pengangkut Wafer

Cincin pemanasan awal：Cincin pemanasan awal terletak di cincin luar baki substrat epitaxial Si dan digunakan untuk kalibrasi dan pemanasan. Itu ditempatkan di ruang reaksi dan tidak secara langsung menghubungi wafer.

  Cincin Pemanasan Awal

Bagian setengah bulan atas adalah pembawa aksesori lain dari ruang reaksi dariPerangkat epitaxy sic, yang suhunya dikontrol dan dipasang di ruang reaksi tanpa kontak langsung dengan wafer. Bagian setengah bulan bawah dihubungkan ke tabung kuarsa yang memasukkan gas untuk menggerakkan rotasi dasar. Suhunya dikontrol, dipasang di ruang reaksi dan tidak bersentuhan langsung dengan wafer.

Bagian bulan sabit atas

Selain itu, ada wadah leleh untuk penguapan dalam industri semikonduktor, gerbang tabung elektronik daya tinggi, sikat yang menghubungi regulator tegangan, monokromator grafit untuk sinar-X dan neutron, berbagai bentuk substrat grafit dan Pelapisan tabung penyerapan atom, dll., Lapisan SIC memainkan peran yang semakin penting.

Mengapa MemilihItu semikonduktor?

Di VeTek Semiconductor, proses manufaktur kami menggabungkan rekayasa presisi dengan material canggih untuk menghasilkan produk pelapis SiC dengan kinerja dan daya tahan unggul, sepertiPemegang wafer berlapis sic, penerima Epi Lapisan SiC,Penerima Epi LED UV, Lapisan Keramik Silikon KarbidaDanSuseptor ALD pelapis SiC. Kami mampu memenuhi kebutuhan spesifik industri semikonduktor serta industri lainnya, menyediakan lapisan SiC khusus berkualitas tinggi kepada pelanggan.

Jika Anda memiliki pertanyaan atau memerlukan detail tambahan, jangan ragu untuk menghubungi kami.

Massa/WhatsAPP: +86-180 6922 0752

Surel: anny@veteksemi.com