Produk

Bubuk Silikon Karbida (SiC) Semikonduktor Kemurnian Tinggi VeTek dikembangkan khusus untuk pertumbuhan kristal SiC, bahan semikonduktor, dan aplikasi keramik tingkat lanjut. Melalui teknologi pemurnian canggih dan kontrol kualitas yang ketat, bubuk SiC kami menawarkan tingkat pengotor yang sangat rendah, distribusi partikel yang stabil, dan konsistensi yang sangat baik untuk proses produksi yang menuntut.

Dalam pengaturan pertumbuhan kristal SiC PVT, bagian grafit dijalankan pada suhu yang sangat tinggi untuk jangka waktu yang lama. Cincin grafit berlapis PyC VeTek dibuat untuk tugas semacam itu. Lapisan karbon pirolitik diendapkan ke grafit dengan kemurnian tinggi melalui CVD. Hal ini memberikan stabilitas permukaan yang lebih baik pada komponen dan lebih sedikit partikel yang terlepas selama pengoperasian. Anda biasanya meletakkannya di area medan termal untuk membantu mengatur aliran uap dan bagaimana panas menyebar di dalam tungku. Lapisan ini juga memperlambat sublimasi grafit ketika suhu melebihi 2200°C, yang membuat keseluruhan komponen bertahan lebih lama.

Dirancang untuk mengelilingi zona pelacakan wafer, Cincin Fokus SiC Padat memastikan distribusi plasma linier dan profil etsa tepi-ke-tengah yang tepat. Komponen β-SiC premium ini dibuat oleh Vetek Semiconductor (Wuyi Tianyao New Material Technology Co., LTD) menggunakan teknologi Deposisi Uap Kimia (CVD) yang dipatenkan. Dengan menguapkan bahan mentah menjadi matriks padat dan tanpa pengikat, Vetek menghilangkan celah mikro berpori yang umum terjadi pada bahan lama. Dibandingkan dengan pelindung kuarsa atau silikon standar, komponen CVD SiC kami bertahan jauh lebih baik terhadap gas halogen korosif, melindungi wafer dalam logika sub-7nm yang dalam dan manufaktur chip memori yang padat. Nantikan pertanyaan Anda lebih lanjut.

Pin Pengangkat Wafer AMAT 0200-03201 dari VeTek ini dimulai dengan grafit dengan kemurnian tinggi, kemudian kami menambahkan lapisan CVD SiC padat di atasnya. Itu dibuat untuk sistem epitaksi 300mm dan reaktor EPI Material Terapan. Mengapa grafit dan SiC? Grafit menangani panas dengan sangat baik. Lapisan SiC menyerap gas korosif dan tidak cepat rusak. Desain dinding tipis? Hal ini untuk pengangkatan dan penempatan wafer yang lebih bersih, partikel yang lebih sedikit, dan masa pakai komponen yang lebih lama pada suhu tinggi. Kami juga membuat komponen grafit berlapis SiC serupa untuk sistem ASM, Aixtron, dan LPE. Menantikan pertanyaan Anda.

Vetek Semiconductor membuat pembawa wafer untuk sistem VEECO MOCVD, yang dibuat khusus untuk pekerjaan epitaksi LED seperti LED GaN, LED biru-hijau, dan pertumbuhan LED UV dalam. Pembawa ini dimulai dengan grafit dengan kemurnian tinggi dan mendapatkan lapisan silikon karbida (SiC) CVD yang padat. Kombinasi tersebut bertahan dengan baik di bawah suhu tinggi yang Anda lihat di MOCVD – stabilitas termal yang baik, ketahanan terhadap korosi, dan lapisan tahan lama.

Halfmoon adalah komponen grafit yang digunakan di dalam reaktor LPE SiC, terutama dipasang di sekitar zona panas ruang. Meskipun tidak bersentuhan langsung dengan wafer, namun tetap berperan dalam stabilitas aliran gas dan pengoperasian reaktor selama pertumbuhan epitaksial. Untuk menangani suhu tinggi dan kondisi proses reaktif, komponen biasanya dilindungi dengan lapisan CVD SiC, sementara lapisan TaC juga tersedia untuk beberapa aplikasi. VETEK juga memasok isolasi grafit dan bagian grafit berlapis lainnya untuk sistem epitaksi SiC.