Produk

Susceptor RTP berlapis CVD SiC dari VeTek Semiconductor melayani pemrosesan termal cepat (RTP) dan peralatan anil termal cepat (RTA) yang digunakan di seluruh manufaktur semikonduktor. Substrat dibuat dari grafit isostatik dengan kemurnian tinggi, yang di atasnya diendapkan lapisan silikon karbida (SiC) CVD yang padat. Konstruksi ini menghasilkan konduktivitas termal yang tinggi, kelembaman kimia yang kuat, dan stabilitas dimensi yang berkelanjutan dalam siklus suhu tinggi yang berulang.

Untuk aplikasi pertumbuhan kristal semikonduktor yang menuntut, wadah grafit tiga bagian VETEK memberikan stabilitas, kemurnian, dan keseragaman termal yang dibutuhkan proses tersebut. Terbuat dari grafit isostatik bermutu tinggi—dengan lapisan SiC, TaC, atau PyC opsional—desain terpisahnya tidak hanya untuk kenyamanan. Ini secara aktif mengurangi tekanan termal, membuat perawatan lebih cepat, dan terus melakukan siklus demi siklus.

Cincin Berlapis VETEK PG (Pyrolytic Graphite) dibuat khusus untuk medan termal semikonduktor dan lingkungan pertumbuhan kristal di mana distribusi panas yang seragam dan suhu yang stabil tidak dapat dinegosiasikan. Dimulai dengan dasar grafit dengan kemurnian tinggi dan diakhiri dengan lapisan Grafit Pirolitik yang padat, komponen ini memberikan konduktivitas termal yang luar biasa, tahan terhadap guncangan termal yang parah, dan mempertahankan dimensinya dalam jangka panjang pada suhu ekstrem. Anda akan menemukan cincin ini digunakan secara luas dalam tungku pertumbuhan kristal, oven suhu tinggi, dan rakitan medan termal untuk semikonduktor—di mana pun kontrol suhu yang presisi secara langsung mendorong pengulangan proses dan kualitas produk akhir.

Jika Anda pernah menghadapi aliran gas yang tidak merata atau kontaminasi partikel di ruang pengendapan, Kepala Pancuran Grafit Berlapis SiC VETEK CVD dirancang untuk mengatasinya. Produk ini dimulai dengan grafit isostatik dengan kemurnian tinggi untuk stabilitas termal dan pengerjaan yang mudah, kemudian mendapat lapisan CVD Silicon Carbide (SiC) padat yang menutup permukaan, tahan terhadap gas korosif (seperti HCl atau NF₃), dan mencegah keluarnya gas. Hasilnya adalah pelat distribusi gas yang menyalurkan aliran seragam ke seluruh wafer, menangani epitaksi suhu tinggi, dan bertahan jauh lebih lama dibandingkan grafit atau kuarsa – menjadikannya komponen tepercaya untuk proses epitaksi CVD, PECVD, MOCVD, silikon epitaksi, dan SiC. Kami juga menawarkan pola dan ukuran lubang khusus, karena tidak ada dua reaktor yang persis sama.

Bubuk Silikon Karbida (SiC) Semikonduktor Semikonduktor VeTek dikembangkan khusus untuk pertumbuhan kristal SiC, bahan semikonduktor, dan aplikasi keramik tingkat lanjut. Melalui teknologi pemurnian canggih dan kontrol kualitas yang ketat, bubuk SiC kami menawarkan tingkat pengotor yang sangat rendah, distribusi partikel yang stabil, dan konsistensi yang sangat baik untuk proses produksi yang menuntut.

Dalam pengaturan pertumbuhan kristal SiC PVT, bagian grafit dijalankan pada suhu yang sangat tinggi untuk jangka waktu yang lama. Cincin grafit berlapis PyC VeTek dibuat untuk tugas semacam itu. Lapisan karbon pirolitik diendapkan ke grafit dengan kemurnian tinggi melalui CVD. Hal ini memberikan stabilitas permukaan yang lebih baik pada komponen dan lebih sedikit partikel yang terlepas selama pengoperasian. Anda biasanya meletakkannya di area medan termal untuk membantu mengatur aliran uap dan bagaimana panas menyebar di dalam tungku. Lapisan ini juga memperlambat sublimasi grafit ketika suhu melebihi 2200°C, yang membuat keseluruhan komponen bertahan lebih lama.