Grafit Berpori Berlapis Tantalum Carbide (TaC) untuk Pertumbuhan Kristal SiC

Grafit Berpori Berlapis Tantalum Karbida Semikonduktor VeTek dirancang untuk mengoptimalkan lingkungan pertumbuhan kristal SiC melalui empat fungsi teknis inti:

● Filtrasi Komponen Uap: Struktur berpori yang tepat bertindak sebagai filter dengan kemurnian tinggi, memastikan hanya fase uap yang diinginkan yang berkontribusi terhadap pembentukan kristal, sehingga meningkatkan kemurnian secara keseluruhan.

● Kontrol Suhu Presisi: Lapisan TaC meningkatkan stabilitas dan konduktivitas termal, memungkinkan penyesuaian gradien suhu lokal yang lebih akurat dan kontrol yang lebih baik terhadap tingkat pertumbuhan.

● Arah Aliran Terpandu: Desain struktural memfasilitasi aliran zat yang terpandu, memastikan bahan dikirim tepat di tempat yang diperlukan untuk mendorong pertumbuhan yang seragam.

● Pengendalian Kebocoran yang Efektif: Produk kami memberikan sifat penyegelan yang sangat baik untuk menjaga integritas dan stabilitas atmosfer pertumbuhan.

Sifat fisik lapisan TaC

Perbandingan dengan Grafit Tradisional

Lapisan Tantalum karbida (TaC) pada penampang mikroskopis

Dampak Aplikasi: Minimalkan Cacat dalam Proses PVT

Dalam proses PVT (Transportasi Uap Fisik), mengganti grafit konvensional dengan Grafit Berpori Berlapis TaC dari VeTek secara langsung mengatasi cacat umum yang ditunjukkan dalam diagram:

● Emembatasi Inklusi Karbon: Dengan bertindak sebagai penghalang terhadap partikel padat, ini secara efektif menghilangkan inklusi karbon dan mengurangi pipa mikro yang umum pada cawan lebur tradisional.

● Menjaga Integritas Struktural: Ini mencegah pembentukan lubang etsa dan mikrotubulus selama pertumbuhan kristal tunggal SiC siklus panjang.

● Hasil & Kualitas Lebih Tinggi: Dibandingkan dengan material tradisional, komponen berlapis TaC memastikan lingkungan pertumbuhan yang lebih bersih, sehingga menghasilkan kualitas kristal dan hasil produksi yang jauh lebih tinggi.