Cincin berlapis tantalum carbide

Cincin berlapis semikonduktor vetek tantalum carbide dibuat darigrafitdan dilapisi dengan Tantalum carbide, kombinasi yang memanfaatkan sifat terbaik dari kedua bahan untuk memastikan kinerja dan umur panjang yang unggul. 

Lapisan TAC pada cincin pelapis tantalum karbida memastikan bahwa ia tetap lembam secara kimia di atmosfer reaktif tungku pertumbuhan kristal SiC, yang sering melibatkan gas seperti hidrogen, argon, dan nitrogen. Kelembaman kimia ini sangat penting untuk mencegah kontaminasi kristal yang tumbuh, yang dapat menyebabkan cacat dan mengurangi kinerja produk semikonduktor akhir. Selain itu, stabilitas termal yang disediakan oleh pelapisan TAC memungkinkan cincin pelapis tantalum karbida untuk beroperasi secara efektif pada suhu tinggi yang diperlukan untuk pertumbuhan kristal SiC, biasanya melebihi 2000 ° C.

Lapisan TAC yang padat dan seragam dapat disiapkan pada permukaan grafit dengan penyemprotan plasma, metode CVD dan metode sintering bubur, tetapi metode penyemprotan plasma memiliki persyaratan peralatan yang tinggi dan pembentukan TA2C. Sulit untuk menyiapkan lapisan gabungan dengan metode sintering bubur, dan ketahanan kejut termal lapisan buruk. Lapisan yang disiapkan dengan metode CVD memiliki komposisi yang dapat dikendalikan dan kepadatan tertinggi, yang merupakan metode pelapisan tantalum carbide yang umum saat ini.

Sifat mekanis TAC sangat mengurangi keausan pada cincin pelapis Tantalum Carbide. Ini sangat penting karena sifat berulang dari proses pertumbuhan kristal, yang memaparkan cincin panduan ke siklus termal dan tegangan mekanis yang sering. Kekerasan dan ketahanan aus TAC memastikan bahwa cincin yang dilapisi TAC mempertahankan integritas strukturalnya dan dimensi yang tepat dalam waktu yang lama, meminimalkan kebutuhan untuk penggantian yang sering dan mengurangi waktu henti dalam proses pembuatan. 

Kepadatan curah lapisan tantalum karbida adalah 14,3gm/cm3, emisivitas 0,3, kekerasan adalah 2000hk, titik leleh adalah 3950 -an ℃, dan sifat fisik yang baik telah dipilih sebagai bahan umum untuk generasi ketiga semikonduktor.

Selain itu, kombinasi grafit dan TAC di cincin pelapis tantalum carbide mengoptimalkan manajemen termal dalam tungku pertumbuhan kristal. Konduktivitas termal tinggi grafit secara efisien mendistribusikan panas, mencegah hotspot dan mempromosikan pertumbuhan kristal yang seragam. Sementara itu, pelapisan TAC berfungsi sebagai penghalang termal, melindungi inti grafit dari paparan langsung ke suhu tinggi dan gas reaktif. Sinergi antara inti dan bahan pelapis ini menghasilkan cincin panduan yang tidak hanya tahan terhadap kondisi kerasPertumbuhan kristal sictetapi juga meningkatkan efisiensi dan kualitas proses secara keseluruhan.

VETEK SEMICONDUCTOR TANTALUM CARBIDE CINED Cincin adalah komponen penting dalam industri semikonduktor, yang dirancang khusus untuk pertumbuhanKristal silikon karbida. Desainnya memanfaatkan kekuatan grafit dan tantalum carbide untuk memberikan kinerja luar biasa di lingkungan suhu tinggi, stres tinggi. Lapisan TAC memastikan inertness kimia, daya tahan mekanis, dan stabilitas termal, yang semuanya sangat penting untuk menghasilkan kristal SIC berkualitas tinggi. Dengan mempertahankan integritas dan fungsionalitasnya dalam kondisi ekstrem, cincin ini mendukung pertumbuhan kristal SIC yang efisien dan bebas cacat, berkontribusi pada kemajuan perangkat semikonduktor kekuatan tinggi dan frekuensi tinggi.

Vetek Semiconductor adalah produsen dan pemasok terkemukaLapisan Tantalum Carbide, Lapisan silikon karbidaDanGrafit khususdi Cina. Kami telah lama berkomitmen untuk menyediakan teknologi canggih dan solusi produk untuk industri semikonduktor, dan dengan tulus berharap menjadi mitra jangka panjang Anda di Cina.

Tantalum carbide (TAC) Coatingpada penampang mikroskopis：

Tinjauanrantai industri epikonduktor chip epitaksis：