Crucible Grafit Tiga-Petal

Graphite grafit tiga kali lipat Vetek Semiconductor yang dirancang untuk proses pertumbuhan silikon monokristalin dengan metode CZ, wadah grafit struktur tiga kali lipat terbuat dari bahan grafit kemurnian tinggi isostatik. Melalui struktur tiga kali lipat yang inovatif, wadah terintegrasi tradisional dapat secara efektif menyelesaikan kesulitan pembongkaran, konsentrasi stres termal dan titik nyeri industri lainnya, dan banyak digunakan dalam wafer silikon fotovoltaik, wafer semikonduktor dan bidang manufaktur kelas atas lainnya.

Sorotan proses inti

1. Teknologi pemrosesan grafit ultra-presisi

Kemurnian Bahan: Penggunaan substrat grafit yang ditekan isostatik dengan kadar abu <5ppm jika diperlukan dan umumnya ＜ 10ppm untuk memastikan nol polusi dalam proses pencairan silikon

Penguatan Struktural: Setelah grafitisasi pada 2200 ℃, kekuatan lentur adalah ≥45mpa, dan koefisien ekspansi termal adalah ≤4.6 × 10⁻⁶/℃

Perawatan permukaan: 10-15μm pelapis karbon pirolitik diendapkan oleh proses CVD untuk meningkatkan resistensi oksidasi (penurunan berat badan <1,5%/100h@1600℃).

2. Desain Struktur Tiga Lapangan Inovatif

Perakitan modular: 120 ° Equipartition Struktur tiga lobus, pemasangan dan efisiensi pembongkaran meningkat sebesar 300%

Desain Pelepasan Stres: Struktur Split secara efektif menyebarkan tegangan ekspansi termal dan memperluas masa pakai lebih dari 200 siklus

Fit presisi: Kesenjangan antara katup adalah <0,1mm, dan perekat keramik suhu tinggi memastikan nol kebocoran dalam proses leleh silikon

3. Layanan Pemrosesan yang Disesuaikan

Dukungan φ16 "-φ40" kustomisasi ukuran penuh, kontrol toleransi ketebalan dinding ± 0,5mm

Struktur kepadatan gradien 1.83g/cm³ dapat dipilih untuk mengoptimalkan distribusi medan termal

Memberikan proses bernilai tambah seperti lapisan komposit boron nitrida dan penguatan tepi logam renium

Skenario Aplikasi Khas

Industri fotovoltaik

Batang silikon monokristalin Gambar kontinu: cocok untuk produksi wafer silikon ukuran besar G12, dukungan ≥500kg kapasitas pemuatan

Baterai Tip-Type N: Migrasi pengotor ultra-rendah menjamin masa pakai minoritas> 2ms

Peningkatan Bidang Termal: Kompatibel dengan model tungku kristal tunggal utama (PVI, Ferrotec, dll.)

Manufaktur semikonduktor

8-12 inci pertumbuhan silikon monokristalin semikonduktor: memenuhi persyaratan kebersihan kelas-10 semi standar

Kristal Doped Khusus: Kontrol Presisi Keseragaman Distribusi Boron/Fosfor

Semikonduktor Generasi Ketiga: Proses persiapan kristal tunggal SIC yang kompatibel

Bidang penelitian ilmiah

Penelitian dan pengembangan wafer silikon ultra-tipis untuk sel surya ruang angkasa

Tes Pertumbuhan Bahan Kristal Baru (Germanium, Gallium Arsenide)

Batas Penelitian Parameter (3000 ℃ Eksperimen Lelur Suhu Ultra-Tinggi)

Sistem Jaminan Kualitas

ISO 9001/14001 Sertifikasi Sistem Ganda

Menyediakan Laporan Uji Material untuk Pelanggan (Analisis Komposisi XRD, SEM MicroStructure)

Sistem penelusuran seluruh proses (penandaan laser + penyimpanan blockchain)