Wadah untuk silikon monokristalin

Dalam metode CZ (Czochralski), kristal tunggal ditanam dengan membawa biji monokristalin ke dalam kontak dengan silikon polikristalin cair. Benih secara bertahap ditarik ke atas saat diputar perlahan. Dalam proses ini, sejumlah besar bagian grafit digunakan, menjadikannya metode yang menggunakan jumlah tertinggi komponen grafit dalam manufaktur semikonduktor silikon.

Gambar yang tepat memberikan representasi skematis dari tungku manufaktur kristal tunggal silikon berdasarkan metode CZ.

Wadah semikonduktor Vetek untuk silikon monokristalin memberikan lingkungan yang stabil dan terkontrol penting untuk pembentukan kristal semikonduktor yang tepat. Mereka berperan dalam menumbuhkan ingot silikon monokristalin menggunakan teknik canggih seperti proses czochralski dan metode float-zone, yang sangat penting untuk menghasilkan bahan berkualitas tinggi untuk perangkat elektronik.

Direkayasa untuk stabilitas termal yang luar biasa, ketahanan korosi kimia, dan ekspansi termal minimal, cawan lebur ini memastikan daya tahan dan ketahanan. Mereka dirancang untuk menahan lingkungan kimia yang keras tanpa mengorbankan integritas atau kinerja struktural, sehingga memperluas umur Crucible dan mempertahankan kinerja yang konsisten dibandingkan penggunaan yang berkepanjangan.

Komposisi unik cawan semikonduktor Vetek untuk silikon monokristalin memungkinkan mereka untuk menanggung kondisi ekstrem pemrosesan suhu tinggi. Ini menjamin stabilitas dan kemurnian termal yang luar biasa, yang sangat penting untuk pemrosesan semikonduktor. Komposisi ini juga memfasilitasi perpindahan panas yang efisien, mempromosikan kristalisasi yang seragam dan meminimalkan gradien termal dalam leleh silikon.

✔ Perlindungan Bahan Dasar: TheCVD SIC COATINGBertindak sebagai lapisan pelindung selama proses epitaxial, secara efektif melindungi bahan dasar dari erosi dan kerusakan yang disebabkan oleh lingkungan eksternal. Ukuran perlindungan ini sangat memperluas masa pakai peralatan.

✔ Konduktivitas termal yang sangat baik: Lapisan CVD SIC kami memiliki konduktivitas termal yang luar biasa, secara efisien mentransfer panas dari bahan dasar ke permukaan lapisan. Ini meningkatkan efisiensi manajemen termal selama epitaxy, memastikan suhu operasi yang optimal untuk peralatan.

✔ Kualitas film yang lebih baik: Lapisan CVD SIC menyediakan permukaan datar dan seragam, menciptakan fondasi yang ideal untuk pertumbuhan film. Ini mengurangi cacat yang dihasilkan dari ketidakcocokan kisi, meningkatkan kristalinitas dan kualitas film epitaxial, dan pada akhirnya meningkatkan kinerja dan keandalannya.