Teknologi & solusi

Memilih SiC CVD, lapisan TaC, atau SiC Padat yang tepat secara langsung menentukan tingkat partikel dan masa pakai komponen pada jalur epitaksi/etsa. Artikel ini memberikan batasan pemilihan yang jelas berdasarkan suhu, atmosfer, dan proses, disesuaikan dengan solusi penggantian peralatan utama dan metrik utama, untuk membantu Anda mengambil keputusan dengan cepat dan mengurangi risiko.

Temukan bagaimana teknologi laser berpemandu air dari VeTek menghasilkan lubang tembus Φ0,15 mm yang seragam pada substrat SiC 2 mm tanpa lancip, HAZ minimal, dan hasil tinggi untuk aplikasi semikonduktor.

Masalah teknis yang paling menantang untuk pin pengangkat berongga peralatan semikonduktor bukanlah lapisan permukaan luar, tetapi pencapaian lapisan CVD yang stabil dan seragam pada dinding bagian dalam struktur berongga. Mulai dari kontrol keseragaman lapisan dinding bagian dalam hingga jaminan kebersihan lubang internal, setiap langkah proses secara langsung memengaruhi hasil wafer. Artikel ini menganalisis tantangan inti pelapis dinding bagian dalam pin pengangkat berongga dan jalur teknis utama.