Pembawa RTP RTA Grafit Dilapisi Silikon Karbida (SiC) CVD

Fitur Produk

· Peralatan Inti:Dirancang untuk sistem Rapid Thermal Annealing (RTA) dan Rapid Thermal Processing (RTP).

· Primary Aaplikasi: Dioptimalkan untuk proses anil wafer semikonduktor.

· Opeperingkat Tesuhu:Pengoperasian yang stabil dari 200°C hingga 700°C.

· Excbaiklah Adakeseragaman mal: Memastikan distribusi panas yang merata untuk pemrosesan wafer yang konsisten.

· Partikel RendahGpembangkitan: Lapisan CVD SiC yang padat meminimalkan kontaminasi dan meningkatkan hasil produksi.

· Ketahanan Kimia Unggul:Tahan terhadap oksidasi dan gas proses korosif selama pemrosesan termal.

· Luar biasag Termal Ketahanan Guncangan: Mempertahankan integritas struktural melalui siklus pemanasan dan pendinginan cepat yang berulang.

· Umur Panjang:Lapisan SiC yang tahan aus secara signifikan memperpanjang masa pakai komponen dan mengurangi biaya perawatan.

· KebiasaanManufaktur:Tersedia dalam berbagai ukuran dan konfigurasi untuk disesuaikan dengan peralatan RTP/RTA yang berbeda.

Spesifikasi Teknis

Aplikasi

·Annealing Termal Cepat (RTA)

· Pemrosesan Termal Cepat (RTP)

· Anil Wafer Silikon

· Aktivasi Dopan

· Oksidasi

· Difusi

·Manufaktur Semikonduktor Majemuk

·Fabrikasi MEMS

·Pemrosesan Semikonduktor Daya

Pertanyaan Umum

1. Apa itu Pembawa RTP/RTA?

Pembawa RTP/RTA adalah komponen pendukung wafer yang digunakan dalam pemrosesan termal cepat dan sistem anil termal cepat. Ini menahan wafer semikonduktor dengan aman sambil memberikan perpindahan panas yang seragam sepanjang siklus termal.

2. Mengapa lapisan CVD SiC lebih disukai?

Dibandingkan dengan grafit telanjang, lapisan CVD SiC menawarkan ketahanan oksidasi yang unggul, pembentukan partikel yang lebih rendah, stabilitas kimia yang lebih baik, dan masa pakai yang jauh lebih lama.

3. Dapatkah VETEK menyediakan operator RTP/RTA yang disesuaikan?

Ya. VETEK menawarkan operator RTP/RTA yang disesuaikan berdasarkan gambar pelanggan.