Bubuk SiC Kemurnian Tinggi untuk Pertumbuhan Kristal SiC

1. Fitur Utama

· Tingkat Kemurnian Tinggi:Kemampuan kemurnian mencapai hingga 99,9999% (grade 6N).

· Pengotor Logam Sangat Rendah:Meminimalkan kontaminasi jejak logam yang dioptimalkan untuk pertumbuhan kristal SiC.

· Transparansi Penuh:Data pengujian GDMS (Glow Discharge Mass Spectrometry) lengkap tersedia untuk setiap batch.

· Kinerja Termal Yang Stabil:Perilaku sublimasi yang sangat dapat diprediksi dan seragam selama pertumbuhan PVT berjalan.

· Distribusi Ukuran Partikel Terkendali:Granulometri dipantau secara cermat untuk menjaga kepadatan pengepakan yang konsisten.

· Formulasi yang Disesuaikan:Ukuran partikel khusus dan kurva distribusi tersedia berdasarkan permintaan.

· Standar Kualitas Semikonduktor:Diproduksi secara ketat di bawah sistem manajemen mutu tingkat semikonduktor.

2. Visual Produk

3. Spesifikasi Teknis

4. Aplikasi

· Pertumbuhan Kristal SiC PVT:Ingot SiC Konduktif & Semi-Isolasi.

· Substrat Semikonduktor:Substrat wafer & bahan baku pemrosesan epitaksi.

· Komponen Termal Kelas Atas:Komponen keramik canggih dan pelapis susceptor.

· Aplikasi Penelitian dan Pengembangan:Penelitian elektronika daya generasi berikutnya dan perangkat frekuensi tinggi.

5. Mengapa Memilih Semikonduktor VeTek?

· Pemurnian Kepemilikan:Teknik pemurnian tingkat lanjut menghasilkan kemurnian hingga 6N untuk pertumbuhan kristal tunggal.

· Kontrol Kualitas Yang Ketat:Jaminan kualitas khusus dengan kontrol kontaminasi tingkat semikonduktor yang ketat.

· Fleksibilitas Kustomisasi:Ukuran partikel khusus yang fleksibel agar sesuai dengan spesifikasi wadah tungku PVT yang berbeda.

· Rantai Pasokan yang Stabil:Kapasitas pasokan yang andal menjamin pengiriman produksi massal jangka panjang yang stabil.

· Keahlian Teknis:Dukungan teknis lengkap yang disesuaikan dengan proses pertumbuhan kristal spesifik Anda.