MOCVD SIC COATING RUMN

Semikonduktor VeTekMOCVD SiC Coating Susceptor terbuat dari bahan berkualitas tinggigrafit, yang dipilih karena stabilitas termal dan konduktivitas termal yang sangat baik (sekitar 120-150 W/m·K). Sifat yang melekat pada grafit menjadikannya bahan yang ideal untuk menahan kondisi keras di dalamReaktor MOCVD. Untuk meningkatkan kinerjanya dan memperluas masa pakainya, kerentanan grafit dilapisi dengan hati -hati dengan lapisan silikon karbida (sic).

MOCVD SIC Coating Rumceptor adalah komponen kunci yang digunakan dalamdeposisi uap kimia (CVD)DanProses Deposisi Uap Bahan Organik Logam (MOCVD). Fungsi utamanya adalah untuk mendukung dan memanaskan wafer silikon atau silikon karbida (SiC) dan memastikan pengendapan gas yang seragam di lingkungan bersuhu tinggi. Ini adalah produk yang sangat diperlukan dalam pemrosesan semikonduktor.

Penerapan susceptor pelapis MOCVD SiC dalam pemrosesan semikonduktor:

Dukungan wafer dan pemanasan:

Suseptor lapisan SiC MOCVD tidak hanya memiliki fungsi pendukung yang kuat, tetapi juga dapat memanaskan secara efektifkue kue wafermerata untuk memastikan stabilitas proses pengendapan uap kimia. Selama proses pengendapan, konduktivitas termal yang tinggi dari lapisan SIC dapat dengan cepat mentransfer energi panas ke setiap area wafer, menghindari suhu yang terlalu panas atau tidak memadai, sehingga memastikan bahwa gas kimia dapat diendapkan secara merata pada permukaan wafer. Efek pemanas dan deposisi yang seragam ini sangat meningkatkan konsistensi pemrosesan wafer, membuat ketebalan film permukaan dari setiap seragam wafer dan mengurangi laju cacat, lebih lanjut meningkatkan hasil produksi dan keandalan kinerja perangkat semikonduktor.

Pertumbuhan Epitaksi:

Diproses MOCVD, Operator yang dilapisi SiC adalah komponen utama dalam proses pertumbuhan epitaks. Mereka secara khusus digunakan untuk mendukung dan memanaskan silikon dan wafer silikon karbida, memastikan bahwa bahan dalam fase uap kimia dapat diendapkan secara seragam dan akurat pada permukaan wafer, sehingga membentuk struktur film tipis berkualitas tinggi dan bebas cacat. Pelapis SIC tidak hanya resisten terhadap suhu tinggi, tetapi juga menjaga stabilitas kimia di lingkungan proses yang kompleks untuk menghindari kontaminasi dan korosi. Oleh karena itu, operator yang dilapisi SIC memainkan peran penting dalam proses pertumbuhan epitaks dari perangkat semikonduktor presisi tinggi seperti perangkat daya SIC (seperti SIC MOSFET dan dioda), LED (terutama LED biru dan ultraviolet), dan sel surya fotovoltaik.

Galium Nitrida (GaN)dan Gallium Arsenide (Gaas) Epitaxy:

Operator yang dilapisi SiC adalah pilihan yang sangat diperlukan untuk pertumbuhan lapisan epitaxial GaN dan GaAs karena konduktivitas termal yang sangat baik dan koefisien ekspansi termal yang rendah. Konduktivitas termal yang efisien dapat secara merata mendistribusikan panas selama pertumbuhan epitaxial, memastikan bahwa setiap lapisan bahan yang diendapkan dapat tumbuh secara seragam pada suhu yang terkontrol. Pada saat yang sama, ekspansi termal rendah SIC memungkinkannya tetap stabil secara dimensi di bawah perubahan suhu ekstrem, secara efektif mengurangi risiko deformasi wafer, sehingga memastikan kualitas tinggi dan konsistensi lapisan epitaxial. Fitur ini menjadikan operator berlapis SIC pilihan yang ideal untuk memproduksi frekuensi tinggi, perangkat elektronik berdaya tinggi (seperti perangkat Gan Hemt) dan komunikasi optik dan perangkat optoelektronik (seperti laser dan detektor berbasis GAAS).

Semikonduktor VeTekToko -toko kerentanan pelapis mocvd sic: