Berita Industri

Perbedaan utama antara epitaks dan deposisi lapisan atom (ALD) terletak pada mekanisme pertumbuhan film dan kondisi operasi. Epitaxy mengacu pada proses menumbuhkan film tipis kristal pada substrat kristal dengan hubungan orientasi tertentu, mempertahankan struktur kristal yang sama atau serupa. Sebaliknya, ALD adalah teknik pengendapan yang melibatkan pengungkapan substrat ke berbagai prekursor kimia secara berurutan untuk membentuk film tipis satu lapisan atom pada satu waktu.

Lapisan CVD TAC adalah proses untuk membentuk lapisan yang padat dan tahan lama pada substrat (grafit). Metode ini melibatkan penyimpan TAC ke permukaan substrat pada suhu tinggi, menghasilkan lapisan tantalum carbide (TAC) dengan stabilitas termal yang sangat baik dan ketahanan kimia.

Saat proses silikon karbida 8-inci (SIC) matang, produsen mempercepat pergeseran dari 6-inci ke 8-inci. Baru-baru ini, pada Semiconductor dan Resonac mengumumkan pembaruan tentang produksi SIC 8-inci.

Artikel ini memperkenalkan perkembangan terbaru dalam reaktor CVD dinding panas PE1O8 yang baru dirancang dari LPE perusahaan Italia dan kemampuannya untuk melakukan epitaxy 4H-SIC yang seragam pada SIC 200mm.

Dengan meningkatnya permintaan bahan SiC dalam elektronika daya, optoelektronik, dan bidang lainnya, pengembangan teknologi pertumbuhan kristal tunggal SiC akan menjadi bidang utama inovasi ilmiah dan teknologi. Sebagai inti dari peralatan pertumbuhan kristal tunggal SiC, desain medan termal akan terus mendapat perhatian luas dan penelitian mendalam.

Melalui kemajuan teknologi yang berkelanjutan dan penelitian mekanisme yang mendalam, teknologi heteroepitaksial 3C-SiC diharapkan dapat memainkan peran yang lebih penting dalam industri semikonduktor dan mendorong pengembangan perangkat elektronik berefisiensi tinggi.