Berita Industri

Empat produsen grafit paling kuat di dunia: SGL, Toyo Tanso, Tokai Carbon, Mersen dan area grafit dan aplikasi khas yang sesuai.

Artikel ini menjelaskan sifat fisik yang sangat baik dari karbon yang dirasakan, alasan spesifik untuk memilih lapisan sic, dan metode dan prinsip lapisan sic pada karbon felt. Ini juga secara khusus menganalisis penggunaan D8 Advance X-ray difractometer (XRD) untuk menganalisis komposisi fase fasul karbon lapisan SIC.

Metode utama untuk menumbuhkan kristal tunggal SiC adalah: transportasi uap fisik (PVT), deposisi uap kimia suhu tinggi (HTCVD) dan pertumbuhan larutan suhu tinggi (HTSG).

Dengan pengembangan industri fotovoltaik surya, tungku difusi dan tungku LPCVD adalah peralatan utama untuk produksi sel surya, yang secara langsung mempengaruhi kinerja sel surya yang efisien. Berdasarkan kinerja produk yang komprehensif dan biaya penggunaan, bahan keramik silikon karbida memiliki lebih banyak keunggulan di bidang sel surya daripada bahan kuarsa. Penerapan bahan keramik silikon karbida dalam industri fotovoltaik dapat sangat membantu perusahaan fotovoltaik mengurangi biaya investasi material tambahan, meningkatkan kualitas produk dan daya saing. Tren masa depan bahan keramik silikon karbida di bidang fotovoltaik terutama menuju kemurnian yang lebih tinggi, kapasitas penahan beban yang lebih kuat, kapasitas pemuatan yang lebih tinggi, dan biaya yang lebih rendah.

Artikel ini menganalisis tantangan spesifik yang dihadapi oleh proses pelapisan TAC CVD untuk pertumbuhan kristal tunggal SIC selama pemrosesan semikonduktor, seperti sumber material dan kontrol kemurnian, optimasi parameter proses, adhesi pelapisan, pemeliharaan peralatan dan stabilitas proses, perlindungan lingkungan dan kontrol biaya, seperti serta solusi industri yang sesuai.

Dari perspektif aplikasi pertumbuhan kristal tunggal SiC, artikel ini membandingkan parameter fisik dasar pelapisan TAC dan lapisan SiC, dan menjelaskan keunggulan dasar pelapisan TAC dibandingkan lapisan SIC dalam hal resistensi suhu tinggi, stabilitas kimia yang kuat, pengurangan pengurangan, dan pengurangan, dan biaya lebih rendah.

Ada banyak jenis peralatan pengukuran di pabrik yang luar biasa. Peralatan umum meliputi peralatan pengukuran proses litografi, peralatan pengukuran proses etsa, peralatan pengukuran proses deposisi film tipis, peralatan pengukuran proses doping, peralatan pengukuran proses CMP, peralatan deteksi partikel wafer dan peralatan pengukuran lainnya.

Lapisan tantalum carbide (TAC) dapat secara signifikan memperpanjang umur bagian -bagian grafit dengan meningkatkan ketahanan suhu tinggi, resistensi korosi, sifat mekanik dan kemampuan manajemen termal. Karakteristik kemurnian yang tinggi mengurangi kontaminasi pengotor, meningkatkan kualitas pertumbuhan kristal, dan meningkatkan efisiensi energi. Ini cocok untuk manufaktur semikonduktor dan aplikasi pertumbuhan kristal di lingkungan suhu tinggi dan sangat korosif.

Pelapis tantalum carbide (TAC) banyak digunakan di bidang semikonduktor, terutama untuk komponen reaktor pertumbuhan epitaxial, komponen kunci pertumbuhan kristal tunggal, komponen industri yang tinggi dan komponen komponen yang sangat tinggi dan resistansi dengan suhu tinggi, dan resistansi dengan suhu tinggi.

Selama proses pertumbuhan epitaxial SIC, kegagalan suspensi grafit yang dilapisi SiC dapat terjadi. Makalah ini melakukan analisis yang ketat tentang fenomena kegagalan suspensi grafit yang dilapisi SiC, yang terutama mencakup dua faktor: kegagalan gas epitaxial SiC dan kegagalan pelapisan SiC.

Artikel ini terutama membahas masing-masing keunggulan proses dan perbedaan proses epitaxy balok molekul dan teknologi deposisi uap kimia logam-organik.

Tantalum Carbide Berpori VeTek Semiconductor, sebagai generasi baru bahan pertumbuhan kristal SiC, memiliki banyak sifat produk unggulan dan memainkan peran penting dalam berbagai teknologi pemrosesan semikonduktor.

Prinsip kerja tungku epitaksi adalah menyimpan bahan semikonduktor pada substrat di bawah suhu tinggi dan tekanan tinggi. Pertumbuhan epitaksi silikon adalah menumbuhkan lapisan kristal dengan orientasi kristal yang sama dengan substrat dan ketebalan yang berbeda pada substrat kristal tunggal silikon dengan orientasi kristal tertentu. Artikel ini terutama memperkenalkan metode pertumbuhan epitaksi silikon: epitaksi fase uap dan epitaksi fase cair.

Chemical Vapor Deposition (CVD) dalam manufaktur semikonduktor digunakan untuk menyimpan bahan film tipis di dalam ruang, termasuk SiO2, SIN, dll., Dan jenis yang umum digunakan termasuk PECVD dan LPCVD. Dengan menyesuaikan jenis gas suhu, tekanan dan reaksi, CVD mencapai kemurnian tinggi, keseragaman dan cakupan film yang baik untuk memenuhi persyaratan proses yang berbeda.

Artikel ini terutama menjelaskan prospek penerapan luas keramik silikon karbida. Hal ini juga berfokus pada analisis penyebab retakan sintering pada keramik silikon karbida dan solusi yang sesuai.