Menu Web

Pencarian Produk

Bahasa

Produk
SIC Coated Graphite Barrel Ronsceptor untuk EPI
  • SIC Coated Graphite Barrel Ronsceptor untuk EPISIC Coated Graphite Barrel Ronsceptor untuk EPI
  • SIC Coated Graphite Barrel Ronsceptor untuk EPISIC Coated Graphite Barrel Ronsceptor untuk EPI
  • SIC Coated Graphite Barrel Ronsceptor untuk EPISIC Coated Graphite Barrel Ronsceptor untuk EPI

SIC Coated Graphite Barrel Ronsceptor untuk EPI

Basis pemanas wafer epitaxial tipe barel adalah produk dengan teknologi pemrosesan yang rumit, yang sangat menantang untuk peralatan dan kemampuan pemesinan. Vetek Semiconductor memiliki peralatan canggih dan pengalaman yang kaya dalam memproses kerentanan barel grafit yang dilapisi SIC untuk EPI, dapat memberikan hal yang sama dengan kehidupan pabrik asli, barel epitaxial yang lebih hemat biaya. Jika Anda tertarik dengan data kami, jangan ragu untuk menghubungi kami.
mengirimkan permintaan 
Deskripsi Produk

Itu semikonduktoradalah produsen & pemasok China yang terutama memproduksi susceptor barel grafit berlapis SiC untuk EPI dengan pengalaman bertahun-tahun. Berharap untuk membangun hubungan bisnis dengan Anda.EPI (Epitaksi)adalah proses penting dalam pembuatan semikonduktor canggih. Ini melibatkan pengendapan lapisan tipis material pada substrat untuk membuat struktur perangkat yang kompleks. Susceptor barel grafit berlapis SiC untuk EPI umumnya digunakan sebagai susceptor dalam reaktor EPI karena konduktivitas termal yang sangat baik dan ketahanan terhadap suhu tinggi. DenganLapisan CVD-SiC, menjadi lebih tahan terhadap kontaminasi, erosi, dan guncangan termal. Hal ini menghasilkan masa pakai susceptor yang lebih lama dan kualitas film yang lebih baik.


Keuntungan dari kerentanan barel grafit yang dilapisi SIC kami:


✔ Berkurangnya kontaminasi: Sifat lembam SiC mencegah kotoran yang melekat pada permukaan kerentanan, mengurangi risiko kontaminasi film yang disimpan.

✔ Peningkatan resistensi erosi: SiC secara signifikan lebih tahan terhadap erosi dibandingkan grafit konvensional, sehingga umur suseptornya lebih lama.

✔ Peningkatan Stabilitas Termal: SiC memiliki konduktivitas termal yang sangat baik dan dapat menahan suhu tinggi tanpa distorsi yang berarti.

✔ Kualitas Film yang Ditingkatkan: Peningkatan stabilitas termal dan pengurangan kontaminasi menghasilkan film yang diendapkan dengan kualitas lebih tinggi dengan keseragaman dan kontrol ketebalan yang lebih baik.


Aplikasi:

Susceptor barel grafit berlapis SiC banyak digunakan dalam berbagai aplikasi EPI, termasuk:

✔ LED berbasis GaN

✔ Elektronik Daya

✔ Perangkat Optoelektronik

✔ Transistor frekuensi tinggi

✔ Sensor

Parameter produk dari kerentanan barel grafit yang dilapisi SiC

Sifat fisikgrafit isostatik
Milik Satuan Nilai khas
Kepadatan curah g/cm³ 1.83
Kekerasan HSD 58
Resistivitas listrik μω.m 10
Kekuatan lentur MPa 47
Kekuatan Tekan MPa 103
Kekuatan tarik MPa 31
Modulus Young IPK 11.8
Ekspansi Termal (CTE) 10-6K-1 4.6
Konduktivitas Termal W·m-1· K-1 130
Ukuran butir rata -rata m 8-10
Porositas % 10
Kandungan Abu ppm ≤10 (setelah dimurnikan)

        Catatan: Sebelum pelapisan akan dilakukan pemurnian terlebih dahulu, setelah pelapisan akan dilakukan pemurnian kedua.

Sifat fisik dasar pelapisan cvd sic

Sifat fisik dasar lapisan CVD SiC
Milik Nilai khas
Struktur kristal Polikristalin fase β FCC, terutama berorientasi (111).
Kepadatan lapisan sic 3,21 gram/cm³
Kekerasan pelapis cvd sic Kekerasan Vickers 2500（beban 500g）
Ukuran Butir 2~10m
Kemurnian Kimia 99,99995%
Kapasitas Panas 640J·kg-1· K-1
Suhu sublimasi 2700 ℃
Kekuatan lentur 415 MPa RT 4 titik
Modulus Muda tikungan 430 Gpa 4pt, 1300℃
Konduktivitas Termal 300W·m-1· K-1
Ekspansi Termal (CTE) 4,5×10-6K-1

Itu semikonduktorSusceptor Barel Grafit Dilapisi SiC untuk EPIToko Produksi

SiC Coated Graphite Barrel Susceptor for EPI products shops

Tag Panas: SIC Coated Graphite Barrel Ronsceptor untuk EPI
Kategori Terkait
mengirimkan permintaan
Info kontak
Untuk pertanyaan tentang Lapisan Silikon Karbida, Lapisan Tantalum Karbida, Grafit Khusus atau daftar harga, silakan tinggalkan email Anda kepada kami dan kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam.
Produk-produk terkait
Pelat Atas Dilapisi SiC untuk LPE PE2061S
Pelat Atas Dilapisi SiC untuk LPE PE2061S Lihat Lebih Banyak >>
Dukungan berlapis sic untuk LPE PE2061s
Dukungan berlapis sic untuk LPE PE2061s Lihat Lebih Banyak >>
Susceptor Pancake Lapis SiC untuk Wafer LPE PE3061S 6''
Susceptor Pancake Lapis SiC untuk Wafer LPE PE3061S 6'' Lihat Lebih Banyak >>
Sic dilapisi grafit crucible deflector
Sic dilapisi grafit crucible deflector Lihat Lebih Banyak >>
LPE If Epi Supporter Set
LPE If Epi Supporter Set Lihat Lebih Banyak >>
Dengan demikian dilapisi biaya kuliah
Dengan demikian dilapisi biaya kuliah Lihat Lebih Banyak >>
Rekomendasi Berita
Penjelasan lengkap tentang proses pembuatan chip (1/2): Dari wafer hingga pengemasan dan pengujian
Penjelasan lengkap tentang proses pembuatan chip (1/2): Dari wafer hingga pengemasan dan pengujianLihat Lebih Banyak >>
Bagaimana grafit berpori meningkatkan pertumbuhan kristal silikon karbida?
Bagaimana grafit berpori meningkatkan pertumbuhan kristal silikon karbida?Lihat Lebih Banyak >>
Apa itu grafit berpori? - Vetek Semiconductor
Apa itu grafit berpori? - Vetek SemiconductorLihat Lebih Banyak >>
Apa perbedaan antara aplikasi silikon karbida (sic) dan gallium nitride (GAN)? - Vetek Semiconductor
Apa perbedaan antara aplikasi silikon karbida (sic) dan gallium nitride (GAN)? - Vetek SemiconductorLihat Lebih Banyak >>
Tahukah Anda tentang MOCVD RMOTCECTOR?
Tahukah Anda tentang MOCVD RMOTCECTOR?Lihat Lebih Banyak >>
Inovasi Teknologi CVD Di Balik Hadiah Nobel
Inovasi Teknologi CVD Di Balik Hadiah NobelLihat Lebih Banyak >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept