SIC yang dilapisi kerentanan planet

Kerentanan planet yang dilapisi SiC adalah pembawa planet yang dilapisisilikon karbida (sic), yang terutama digunakan dalam proses deposisi bahan semikonduktor seperti deposisi uap kimia logam-organik (MOCVD), epitaks balok molekul (MBE), dll. Fungsi utamanya adalah untuk membawa dan memutar wafer untuk memastikan keseragaman material dan konsistensi medan termal selama proses deposisi. Fungsi utamanya adalah membawa dan memutar wafer untuk memastikan keseragaman material dan konsistensi medan termal selama pengendapan, dan lapisan SIC memberikan pembawa dengan ketahanan suhu tinggi yang sangat baik, resistansi korosi, dan konduktivitas termal untuk semikonduktor presisi tinggi tinggikue kue waferpengolahan.

Skenario Aplikasi Inti untuk SIC yang dilapisi Planetary Kerentanan

Proses pertumbuhan epitaxial MOCVD

Dalam proses MOCVD, kerentanan planet yang dilapisi SIC terutama digunakan untuk membawa wafer silikon (SI), silikon karbida (SIC), gallium nitrida (Gan), gallium arsenide (GAAS) dan bahan lainnya.

● Persyaratan fungsional: Penentuan posisi yang tepat dan rotasi wafer yang disinkronkan untuk memastikan distribusi seragam bahan yang diendapkan uap pada permukaan wafer dan meningkatkan keseragaman ketebalan dan komposisi film.

● Keuntungan: Pelapisan SiC sangat tahan korosi dan dapat menahan erosi prekursor logam-organik yang sangat reaktif seperti trimethylgallium (TMGA) dan trimethylindium (Tmin), memperpanjang masa pakai mereka.

Pembuatan Perangkat Daya Silicon Carbide (SIC)

Kerentanan planet yang dilapisi SiC banyak digunakan dalam pertumbuhan epitaxial perangkat daya SiC, seperti MOSFET, IGBT, SBD dan perangkat lainnya.

● Persyaratan fungsional: Menyediakan platform penyesuaian termal yang stabil di lingkungan suhu tinggi untuk memastikan kualitas kristalisasi lapisan epitaxial dan kontrol cacat.

● Keuntungan: Pelapisan SiC tahan terhadap suhu tinggi (> 1600 ° C) dan memiliki koefisien ekspansi termal (4.0 × 10^-6 K^-1) dekat dengan wafer silikon karbida, yang secara efektif mengurangi tekanan termal dan meningkatkan kualitas dan stabilitas lapisan epitaks.

Deep Ultraviolet (DUV) dan Ultraviolet LED Epitaxial Manufacturing

Kerentanan planet yang dilapisi SiC cocok untuk pertumbuhan epitaxial bahan seperti gallium nitrida (Gan) dan aluminium gallium nitrida (Algan), dan banyak digunakan dalam pembuatan UV-LED dan LED mikro.

● Persyaratan fungsional: Pertahankan kontrol suhu yang tepat dan distribusi aliran udara yang seragam untuk memastikan akurasi panjang gelombang dan kinerja perangkat.

● Keuntungan: Konduktivitas termal tinggi dan resistensi oksidasi memungkinkan stabilitas yang sangat baik pada suhu tinggi selama periode operasi yang lama, membantu meningkatkan efisiensi bercahaya dan konsistensi chip LED.

Pilih Vekemicon

Veteksemicon SIC yang dilapisi kerentanan planet telah menunjukkan keunggulan yang tak tergantikan dalam suhu tinggi, lingkungan manufaktur semikonduktor korosif melalui sifat material yang unik dan desain mekanis. Dan produk kerentanan planet utama kami adalah SIC Coated Planetary Stsceptor,Ald Planetary Ronsceptor, TAC Coating Planetary Ronsceptordan sebagainya. Pada saat yang sama, Veteksemicon berkomitmen untuk menyediakan produk -produk khusus dan layanan teknis untuk industri semikonduktor. Kami dengan tulus berharap untuk menjadi mitra jangka panjang Anda di Cina.