Cincin Penutup Wafer Grafit Dilapisi TaC

Keunggulan Teknis Inti

• Ketahanan Kimia yang Luar Biasa: Direkayasa untuk tahan terhadap gas etsa yang keras (H₂, NH₃, HCl) pada suhu antara 1200°C dan 2000°C.

• Pencocokan Ekspansi Termal: Proses CVD milik kami memastikan lapisan TaC memiliki kecocokan CTE (Koefisien Ekspansi Termal) yang dioptimalkan dengan substrat grafit, mencegah pengelupasan atau retak selama siklus termal yang cepat.

• Kontrol Partikel Unggul: Dengan menyegel sepenuhnya grafit berpori, lapisan TaC menghilangkan pelepasan partikel, secara langsung meningkatkan hasil wafer dan mengurangi waktu henti reaktor.

• Kehidupan Layanan yang Diperpanjang: Permukaan yang sangat tahan aus yang tahan terhadap siklus pembersihan berulang, sehingga menawarkan Biaya Kepemilikan (CoO) yang jauh lebih rendah dibandingkan dengan alternatif yang tidak dilapisi atau dilapisi SiC.

Lapisan Tantalum karbida (TaC) pada penampang mikroskopis

Parameter produk Cincin Penutup Wafer Grafit Dilapisi TaC

Mengapa Memilih Cincin Penutup TaC Kami?

Kami memahami bahwa dalam fabrikasi semikonduktor, keandalan sama dengan profitabilitas. Cincin Penutup Wafer Grafit Dilapisi TaC kami telah diuji secara batch untuk kepadatan dan kemurnian lapisan. Baik Anda beralih dari produksi wafer 6 inci ke 8 inci atau mengoptimalkan proses MOCVD suhu tinggi, cincin kami menyediakan pelindung termal dan kimia yang diperlukan untuk epitaksi kelas dunia.