Veeco Mocvd Providence

Itu semikonduktorVeeco MocvdWafer Kerentanan adalah komponen penting, direkayasa dengan cermat menggunakan grafit ultrapure dengan alapisan silikon karbida (sic). IniLapisan sicMemberikan banyak manfaat, terutama memungkinkan transfer termal yang efisien ke substrat. Mencapai distribusi termal yang optimal di seluruh substrat sangat penting untuk kontrol suhu yang seragam, memastikan deposisi film tipis berkualitas tinggi yang konsisten, yang sangat penting dalam fabrikasi perangkat semikonduktor.

Parameter teknis

Matriks sifat material

Indikator utama vetek solusi tradisional standar

Bahan Basis Kemurnian 6n Grafit Isostatik 5N Grafit Cetakan

Derajat pencocokan CTE (25-1400 ℃) Δα ≤0.3 × 10⁻⁶/ k Δα ≥1.2 × 10⁻⁶/ k

Konduktivitas Termal @800 ℃ 110 W/M · K 85 W/M · K

Kekasaran permukaan (RA) ≤0.1μm ≥0.5μm

Toleransi asam (pH = 1@80 ℃) 1500 siklus 300 siklus

Rekonstruksi Keuntungan Inti

Inovasi manajemen termal

Teknik pencocokan CTE atom

Jepang Toyo Carbon Graphite/SGL Substrat + Gradient SIC Coating

Tegangan siklus termal berkurang 82% (diukur 1400 ℃↔RT 500 siklus tanpa retak)

Desain Lapangan Termal Cerdas

Struktur kompensasi suhu 12-zona: mencapai ± 0,5 ℃ keseragaman pada permukaan wafer φ200mm

Respon termal dinamis: gradien suhu ≤1.2 ℃/cm pada laju pemanasan 5 ℃/s

Sistem Perlindungan Kimia
Triple Composite Barrier

Lapisan pelindung utama 50μm SIC

Lapisan transisi nanotac (opsional)

Kepadatan infiltrasi fase gas

Diverifikasi oleh ASTM G31-21:

Tingkat korosi basis CL <0,003mm/tahun

NH3 terpapar selama 1000 jam tanpa korosi batas butir

Sistem Manufaktur Cerdas

Pemrosesan kembar digital

Pusat Pemesinan Lima Suka: Akurasi Posisi ± 1.5μm

Inspeksi Pemindaian 3D Online: 100% Verifikasi Ukuran Penuh (sesuai dengan ASME Y14.5)

Presentasi nilai berbasis skenario

Produksi massal semikonduktor generasi ketiga

Parameter Proses Skenario Aplikasi Manfaat Pelanggan

Gan Hemt 6 Inch /150μm Epitaxial Epitaxial Dua Dimensi Gas Elektron Fluktuasi <2%

SIC MOSFET C keseragaman doping ± 3% deviasi tegangan ambang batas berkurang sebesar 40%

Keseragaman panjang gelombang LED mikro ± 1,2nm chip namp laju meningkat sebesar 15%

Optimalisasi Biaya Pemeliharaan

Periode pembersihan diperpanjang 3 kali: HF: HNO ₃ = 1: 3 Pembersihan intensitas tinggi didukung

Sistem Prediksi Kehidupan Suku Cadang: Akurasi Algoritma AI ± 5%

VETEK SEMICONDUCTOR TOKO MOCVD VEOECO MOCVD: