Bagian Halfmoon 8 Inci untuk Reaktor LPE

Sebagai produsen profesional, Vetek Semiconductor ingin memberi Anda bagian Halfmoon 8 inci berkualitas tinggi untuk reaktor LPE.

Bagian setengah bulan VeTek Semikonduktor 8 inci untuk reaktor LPE merupakan komponen penting yang digunakan dalam proses pembuatan semikonduktor, khususnya pada peralatan epitaksi SiC. VeTek Semiconductor menggunakan teknologi yang dipatenkan untuk memproduksi bagian halfmoon 8 inci untuk reaktor LPE, memastikan komponen tersebut memiliki kemurnian luar biasa, lapisan seragam, dan umur panjang yang luar biasa. Selain itu, bagian-bagian ini menunjukkan sifat ketahanan kimia dan stabilitas termal yang luar biasa.

Bagian utama bagian setengah bulan 8 inci untuk reaktor LPE terbuat dari grafit dengan kemurnian tinggi, yang memberikan konduktivitas termal dan stabilitas mekanis yang sangat baik. Grafit dengan kemurnian tinggi dipilih karena kandungan pengotornya yang rendah, memastikan kontaminasi minimal selama proses pertumbuhan epitaksi. Kekokohannya memungkinkannya menahan kondisi yang sulit di dalam reaktor LPE.

Bagian Halfmoon Grafit Dilapisi SiC Semikonduktor VeTek diproduksi dengan presisi tertinggi dan perhatian terhadap detail. Kemurnian tinggi dari bahan yang digunakan menjamin kinerja dan keandalan yang unggul dalam pembuatan semikonduktor. Lapisan seragam pada bagian-bagian ini memastikan pengoperasian yang konsisten dan efisien sepanjang masa pakainya.

Salah satu keunggulan utama Bagian Halfmoon Grafit Dilapisi SiC kami adalah ketahanannya yang sangat baik terhadap bahan kimia. Mereka dapat menahan sifat korosif dari lingkungan manufaktur semikonduktor, memastikan daya tahan yang tahan lama dan meminimalkan kebutuhan akan penggantian yang sering. Selain itu, stabilitas termalnya yang luar biasa memungkinkannya mempertahankan integritas struktural dan fungsionalitasnya dalam kondisi suhu tinggi.

Bagian setengah grafit yang dilapisi SIC kami telah dirancang dengan cermat untuk memenuhi persyaratan ketat peralatan epitaxial SiC. Dengan kinerja yang dapat diandalkan, bagian-bagian ini berkontribusi pada keberhasilan proses pertumbuhan epitaxial, memungkinkan pengendapan film SIC berkualitas tinggi.

Struktur kristal film pelapis cvd sic: