Reseptor Grafit Epitaksi GaN untuk G5

Vetek Semiconductor adalah kerentanan grafit epitaxial China Gan profesional untuk produsen dan pemasok G5. Kerentanan grafit epitaxial Gan untuk G5 adalah komponen penting yang digunakan dalam sistem uap uap kimia logam-organik AIXTRON G5 untuk pertumbuhan film tipis gallium nitrida berkualitas tinggi (Gan), memainkan peran penting dalam memastikan suhu yang seragam (GAN), memainkan peran penting dalam memastikan suhu yang seragam (GAN) memainkan peran yang seragam dalam memastikan seragam yang seragam, GAN) memainkan peran yang seragam dalam memastikan seragam yang seragam, GAN, GAN, GAN), memainkan peran yang seragam dalam memastikan seragam yang seragam, GAN, GAN, GAN, GAN, GAN), memainkan peran penting dalam memastikan seragam yang seragam dalam memastikan seragam, GAN, GAN, GAN, GAN, GAN, GAN, GAN) Distribusi, perpindahan panas yang efisien, dan kontaminasi minimal selama proses pertumbuhan.

Fitur Utama dari Vetek Semiconductor Gan Gan Epitaxial Graphite Ronsceptor untuk G5:

-Kemurnian tinggi: Susceptor terbuat dari grafit yang sangat murni dengan lapisan CVD, meminimalkan kontaminasi pada film GaN yang sedang tumbuh.

-Kukota termal yang luar biasa: Konduktivitas termal tinggi grafit (150-300 w/(m · k)) memastikan distribusi suhu yang seragam di seluruh rentan, yang mengarah pada pertumbuhan film GAN yang konsisten.

-Ekspansi termal rendah: Koefisien ekspansi termal susceptor yang rendah meminimalkan tekanan termal dan keretakan selama proses pertumbuhan suhu tinggi.

-Kelembaman kimia: Grafit bersifat inert secara kimia dan tidak bereaksi dengan prekursor GaN, mencegah pengotor yang tidak diinginkan pada film yang ditumbuhkan.

-Kompatibilitas dengan Aixtron G5: Susceptor dirancang khusus untuk digunakan dalam sistem MOCVD Aixtron G5, memastikan kesesuaian dan fungsionalitas yang tepat.

Aplikasi:

LED dengan kecerahan tinggi: LED berbasis GaN menawarkan efisiensi tinggi dan masa pakai yang lama, menjadikannya ideal untuk penerangan umum, penerangan otomotif, dan aplikasi tampilan.

Transistor berdaya tinggi: Transistor GaN menawarkan kinerja unggul dalam hal kepadatan daya, efisiensi, dan kecepatan peralihan, sehingga cocok untuk aplikasi elektronika daya.

Dioda laser: Dioda laser berbasis GaN menawarkan efisiensi tinggi dan panjang gelombang pendek, menjadikannya ideal untuk penyimpanan optik dan aplikasi komunikasi.

Parameter produk Susceptor Grafit Epitaxial GaN untuk G5

Catatan: Sebelum pelapisan, kita akan melakukan pemurnian pertama, setelah pelapisan, akan melakukan pemurnian kedua.

Bandingkan toko produksi semikonduktor ：