Susceptor Grafit Berlapis SiC CVD untuk Pembawa Wafer

1. Keunggulan Produk

• Bahan Kemurnian Tinggi:Bahan grafit tingkat semikonduktor dan struktur lapisan SiC yang padat meminimalkan risiko kontaminasi dan meningkatkan keandalan suseptor grafit berlapis SiC CVD.
• Keseragaman Termal yang Sangat Baik:Struktur grafit yang dioptimalkan dan lapisan SiC memberikan perpindahan panas yang stabil dan kontrol suhu wafer yang seragam.
• Ketahanan Kimia Unggul:Lapisan SiC yang padat menawarkan ketahanan yang kuat terhadap gas proses dan lingkungan korosif.
• Umur Panjang:Kekerasan tinggi dan ketahanan aus meningkatkan daya tahan dalam kondisi epitaksi suhu tinggi.
• Generasi Partikel Rendah:Permukaan CVD SiC yang padat mengurangi pelepasan partikel dan meningkatkan keandalan proses wafer.
• Kemampuan Desain yang Disesuaikan:Tersedia dalam berbagai ukuran, struktur, dan konfigurasi sesuai dengan kebutuhan peralatan.

2. Spesifikasi Teknis

3. Aplikasi

• Proses Epitaksi SiC:Susceptor grafit digunakan sebagai pembawa wafer dalam peralatan epitaksi SiC, mendukung substrat SiC selama pertumbuhan epitaksi suhu tinggi.
• Proses Epitaksi Silikon:Diterapkan dalam reaktor epitaksi silikon untuk mendukung wafer dan menjaga kondisi termal yang stabil.
• Epitaksi MOCVD:Susceptor grafit VETEK cocok untuk MOCVD, epitaksi LED, epitaksi GaN, epitaksi silikon, dan proses manufaktur semikonduktor lainnya yang memerlukan keseragaman termal dan stabilitas kimia yang sangat baik.
• Peralatan Manufaktur Semikonduktor:Kompatibel dengan berbagai platform epitaksi, termasuk tungku horizontal LPE, Aixtron, NuFlare, dan peralatan semikonduktor terkait.

4. Mengapa Memilih VETEK?

VETEK menyediakan solusi susceptor grafit berlapis CVD SiC khusus yang mengintegrasikan pemurnian grafit, pemesinan presisi, pelapisan CVD, dan kemampuan inspeksi. Produk suseptor grafit tingkat semikonduktor kami memiliki kemurnian tinggi, ketebalan lapisan yang seragam, kinerja termal yang sangat baik, dan masa pakai yang lama untuk aplikasi pembawa wafer yang berat.