Lapisan Silikon Karbida

Sebagai produsen dan pemasok pembawa wafer pelapis SiC profesional, pembawa wafer pelapis SiC Vetek Semiconductor terutama digunakan untuk meningkatkan keseragaman pertumbuhan lapisan epitaksi, memastikan stabilitas dan integritasnya dalam suhu tinggi dan lingkungan korosif.

Vetek Semiconductor adalah produsen kerentanan ALD profesional China. Vetek secara bersama-sama mengembangkan dan memproduksi pangkalan planet ALD yang dilapisi SIC dengan produsen sistem ALD untuk memenuhi persyaratan tinggi dari proses ALD. Selamat datang konsultasi Anda.

Langit -langit yang dilapisi CVD SIC semikonduktor Vetek memiliki sifat yang sangat baik seperti ketahanan suhu tinggi, ketahanan korosi, kekerasan tinggi, dan koefisien ekspansi termal rendah, menjadikannya pilihan bahan yang ideal dalam pembuatan semikonduktor. Sebagai produsen dan pemasok langit -langit yang dilapisi CVD SIC terkemuka, Vetek Semiconductor menantikan konsultasi Anda.

Vetek Semiconductor adalah produsen profesional rentak EPI LED MOCVD di Cina. Rekan EPI LED MOCVD kami dirancang untuk menuntut aplikasi peralatan epitaxial. Konduktivitas termal yang tinggi, stabilitas kimia, dan daya tahannya adalah faktor kunci untuk memastikan proses pertumbuhan epitaxial yang stabil dan produksi film semikonduktor.

SIC Coating ALD Ronsceptor adalah komponen pendukung yang secara khusus digunakan dalam proses Deposisi Lapisan Atom (ALD). Ini memainkan peran kunci dalam peralatan ALD, memastikan keseragaman dan ketepatan proses deposisi. Kami percaya bahwa produk kerentanan planet ALD kami dapat memberi Anda solusi produk berkualitas tinggi.

Susceptor RTP berlapis CVD SiC dari VeTek Semiconductor melayani pemrosesan termal cepat (RTP) dan peralatan anil termal cepat (RTA) yang digunakan di seluruh manufaktur semikonduktor. Substrat dibuat dari grafit isostatik dengan kemurnian tinggi, yang di atasnya diendapkan lapisan silikon karbida (SiC) CVD yang padat. Konstruksi ini menghasilkan konduktivitas termal yang tinggi, kelembaman kimia yang kuat, dan stabilitas dimensi yang berkelanjutan dalam siklus suhu tinggi yang berulang.