Pemegang wafer berlapis sic

VPemegang wafer berlapis SIC Etek Semiconductor biasanya digunakan untuk memperbaiki dan mendukung wafer selama pemrosesan semikonduktor. Itu adalah kinerja tinggiPengangkut Waferbanyak digunakan dalam manufaktur semikonduktor. Dengan melapisi lapisan silikon karbida (sic) di permukaansubstrat, produk dapat secara efektif mencegah substrat dari korosi, dan meningkatkan ketahanan korosi dan kekuatan mekanik pembawa wafer, memastikan stabilitas dan persyaratan presisi dari proses pemrosesan.

Pemegang wafer berlapis sicbiasanya digunakan untuk memperbaiki dan mendukung wafer selama pemrosesan semikonduktor. Ini adalah pembawa wafer berkinerja tinggi yang banyak digunakan dalam manufaktur semikonduktor. Dengan melapisi lapisansilikon karbida (sic)Pada permukaan substrat, produk dapat secara efektif mencegah substrat dari korosi, dan meningkatkan ketahanan korosi dan kekuatan mekanik darioperator wafer, memastikan stabilitas dan persyaratan presisi dari proses pemrosesan.

Silicon carbide (sic) memiliki titik leleh sekitar 2.730 ° C dan memiliki konduktivitas termal yang sangat baik sekitar 120 - 180 W/m · k. Properti ini dapat dengan cepat menghilangkan panas dalam proses suhu tinggi dan mencegah panas berlebih antara wafer dan pembawa. Oleh karena itu, pemegang wafer yang dilapisi SiC biasanya menggunakan grafit yang dilapisi silikon karbida (sic) sebagai substrat.

Dikombinasikan dengan kekerasan SIC (kekerasan Vickers yang sangat tinggi sekitar 2.500 HV), pelapis silikon karbida (SIC) yang diendapkan oleh proses CVD dapat membentuk lapisan pelindung yang padat dan kuat, yang sangat meningkatkan ketahanan keausan pemegang wafer yang dilapisi SIC.

Pemegang wafer yang dilapisi SIC Vetek Semiconductor terbuat dari grafit yang dilapisi SiC dan merupakan komponen kunci yang sangat diperlukan dalam proses epitaksi semikonduktor modern. Secara cerdik menggabungkan konduktivitas termal yang sangat baik dari grafit (konduktivitas termal adalah sekitar 100-400 W/m · K pada suhu kamar) dan kekuatan mekanik, dan resistensi korosi kimia yang sangat baik dan stabilitas termal silikon karbida (titik leleh SIC adalah sekitar 2.730 ° C), dengan sempurna memenuhi persyaratan keterstakan dari rangkaian rangkaian hari ini.

Pemegang desain wafer tunggal ini dapat secara akurat mengontrolproses epitaxialParameter, yang membantu menghasilkan perangkat semikonduktor berkualitas tinggi dan berkinerja tinggi. Desain strukturalnya yang unik memastikan bahwa wafer ditangani dengan perhatian dan ketepatan yang paling besar di seluruh proses, sehingga memastikan kualitas yang sangat baik dari lapisan epitaxial dan meningkatkan kinerja produk semikonduktor akhir.

Sebagai terkemuka ChinaSic dilapisiProdusen dan pemimpin pemegang wafer, Vetek Semiconductor dapat menyediakan produk dan layanan teknis yang disesuaikan sesuai dengan persyaratan peralatan dan proses Anda.Kami dengan tulus berharap menjadi mitra jangka panjang Anda di China.

Data SEM Struktur Kristal Film CVD SiC

Sifat fisik dasar pelapisan cvd sic

VETEK SEMICONDUCTOR SIC TOKO PRODUKSI WAFER WAFER Holder ：