Berita Industri

Bahan kuarsa dengan kemurnian tinggi memainkan peran penting dalam industri semikonduktor. Ketahanannya terhadap suhu tinggi, ketahanan korosi, stabilitas termal, dan sifat transmisi cahaya yang unggul menjadikannya bahan habis pakai yang penting. Produk kuarsa digunakan untuk komponen di zona produksi wafer bersuhu tinggi dan bersuhu rendah, memastikan stabilitas dan kebersihan proses manufaktur.

Seiring dengan transisi energi global, revolusi AI, dan gelombang teknologi informasi generasi baru, silikon karbida (SiC) telah berkembang pesat dari “bahan potensial” menjadi “bahan dasar strategis” karena sifat fisiknya yang luar biasa.

Dalam proses semikonduktor suhu tinggi, penanganan, pendukung, dan perlakuan termal wafer bergantung pada komponen pendukung khusus—perahu wafer. Ketika suhu proses meningkat dan persyaratan kebersihan dan kontrol partikel meningkat, kapal wafer kuarsa tradisional secara bertahap mengungkapkan masalah seperti masa pakai yang pendek, tingkat deformasi yang tinggi, dan ketahanan terhadap korosi yang buruk.

Untuk produksi substrat silikon karbida skala industri, keberhasilan satu pertumbuhan bukanlah tujuan akhir. Tantangan sebenarnya terletak pada memastikan bahwa kristal yang ditumbuhkan pada batch, alat, dan periode waktu yang berbeda mempertahankan tingkat konsistensi dan pengulangan kualitas yang tinggi. Dalam konteks ini, peran lapisan tantalum karbida (TaC) lebih dari sekadar perlindungan dasar—lapisan ini menjadi faktor kunci dalam menstabilkan masa proses dan menjaga hasil produk.

​Pertumbuhan PVT silikon karbida (SiC) melibatkan siklus termal yang parah (suhu ruangan di atas 2200 ℃). Tekanan termal yang sangat besar yang dihasilkan antara lapisan dan substrat grafit karena ketidaksesuaian dalam koefisien ekspansi termal (CTE) merupakan tantangan utama yang menentukan masa pakai lapisan dan keandalan aplikasi.

​Dalam proses pertumbuhan kristal PVT silikon karbida (SiC), stabilitas dan keseragaman medan termal secara langsung menentukan laju pertumbuhan kristal, kepadatan cacat, dan keseragaman material. Sebagai batas sistem, komponen medan termal menunjukkan sifat termofisika permukaan yang fluktuasi kecilnya diperkuat secara dramatis pada kondisi suhu tinggi, yang pada akhirnya menyebabkan ketidakstabilan pada antarmuka pertumbuhan.

Dalam proses menumbuhkan kristal silikon karbida (SiC) melalui metode Pengangkutan Uap Fisik (PVT), suhu yang sangat tinggi antara 2000–2500 °C adalah “pedang bermata dua” — selain mendorong sublimasi dan pengangkutan bahan sumber, suhu tersebut juga secara dramatis meningkatkan pelepasan pengotor dari semua bahan dalam sistem medan termal, terutama elemen logam jejak yang terkandung dalam komponen zona panas grafit konvensional. Begitu pengotor ini memasuki antarmuka pertumbuhan, mereka akan langsung merusak kualitas inti kristal. Inilah alasan mendasar mengapa pelapisan tantalum karbida (TaC) telah menjadi “pilihan wajib” dan bukan “pilihan opsional” untuk pertumbuhan kristal PVT.

Di Veteksemicon, kami menghadapi tantangan ini setiap hari, mengkhususkan diri dalam mengubah Keramik Aluminium Oksida canggih menjadi solusi yang memenuhi spesifikasi yang tepat. Memahami metode pemesinan dan pemrosesan yang tepat sangatlah penting, karena pendekatan yang salah dapat menyebabkan pemborosan yang mahal dan kegagalan komponen. Mari jelajahi teknik profesional yang memungkinkan hal ini.

Memasukkan CO₂ ke dalam air cetakan dadu selama pemotongan wafer merupakan tindakan proses yang efektif untuk menekan penumpukan muatan statis dan menurunkan risiko kontaminasi, sehingga meningkatkan hasil cetakan dadu dan keandalan chip jangka panjang.

Wafer silikon adalah dasar dari sirkuit terpadu dan perangkat semikonduktor. Mereka memiliki ciri yang menarik - tepi datar atau lekukan kecil di sisinya. Ini bukan cacat, melainkan penanda fungsional yang sengaja dirancang. Faktanya, takik ini berfungsi sebagai acuan arah dan penanda identitas di seluruh proses produksi.

Pemolesan mekanis kimia (CMP) menghilangkan kelebihan material dan cacat permukaan melalui aksi gabungan reaksi kimia dan abrasi mekanis. Ini adalah proses utama untuk mencapai planarisasi global pada permukaan wafer dan sangat diperlukan untuk interkoneksi tembaga multilayer dan struktur dielektrik rendah-k. Dalam manufaktur praktis

Bubur pemoles CMP (Chemical Mechanical Planarization) wafer silikon adalah komponen penting dalam proses pembuatan semikonduktor. Hal ini memainkan peran penting dalam memastikan bahwa wafer silikon—yang digunakan untuk membuat sirkuit terintegrasi (IC) dan microchip—dipoles hingga tingkat kehalusan yang diperlukan untuk tahap produksi selanjutnya.

Dalam manufaktur semikonduktor, Planarisasi Mekanik Kimia (CMP) memainkan peran penting. Proses CMP menggabungkan tindakan kimia dan mekanis untuk menghaluskan permukaan wafer silikon, memberikan landasan yang seragam untuk langkah selanjutnya seperti deposisi film tipis dan etsa. Bubur pemoles CMP, sebagai komponen inti dari proses ini, berdampak signifikan terhadap efisiensi pemolesan, kualitas permukaan, dan kinerja akhir produk.

Bubur pemoles Wafer CMP adalah bahan cair yang diformulasikan khusus yang digunakan dalam proses pembuatan semikonduktor CMP. Ini terdiri dari air, etsa kimia, bahan abrasif, dan surfaktan, yang memungkinkan pengetsaan kimia dan pemolesan mekanis.

Bahan abrasif silikon karbida biasanya diproduksi menggunakan kuarsa dan kokas minyak bumi sebagai bahan baku utama. Pada tahap persiapan, bahan-bahan ini menjalani pemrosesan mekanis untuk mencapai ukuran partikel yang diinginkan sebelum secara kimiawi proporsional ke dalam muatan tungku.

Selama beberapa tahun terakhir, pusat teknologi pengemasan secara bertahap telah digantikan oleh "teknologi lama" - CMP (Chemical Mechanical Polishing). Ketika Hybrid Bonding menjadi peran utama dalam kemasan canggih generasi baru, CMP secara bertahap beralih dari belakang layar menjadi sorotan.