Lapisan Silikon Karbida

Halfmoon adalah komponen grafit yang digunakan di dalam reaktor LPE SiC, terutama dipasang di sekitar zona panas ruang. Meskipun tidak bersentuhan langsung dengan wafer, namun tetap berperan dalam stabilitas aliran gas dan pengoperasian reaktor selama pertumbuhan epitaksial. Untuk menangani suhu tinggi dan kondisi proses reaktif, komponen biasanya dilindungi dengan lapisan CVD SiC, sementara lapisan TaC juga tersedia untuk beberapa aplikasi. VETEK juga memasok isolasi grafit dan bagian grafit berlapis lainnya untuk sistem epitaksi SiC.

Cincin atas epi SiC 8 inci adalah bagian perangkat keras untuk reaktor semikonduktor. Ia bekerja di dalam sistem epitaksi Si/SiC dan MOCVD/CVD. Cincin ini menstabilkan panas di dalam ruangan. Ini juga mengontrol aliran gas. Bahannya adalah Silikon Karbida CVD dengan kemurnian tinggi. Ia tidak memiliki masalah grafit yang mengeluarkan gas. Ini juga mengurangi kontaminasi partikel selama produksi. Kami menyambut pertanyaan Anda.

VETEK MOCVD SiC Coated Susceptor adalah solusi pembawa rekayasa presisi yang khusus dikembangkan untuk pertumbuhan epitaksi semikonduktor LED dan senyawa. Ini menunjukkan keseragaman termal dan kelembaman kimia yang luar biasa dalam lingkungan MOCVD yang kompleks. Dengan memanfaatkan proses deposisi CVD VETEK yang ketat, kami berkomitmen untuk meningkatkan konsistensi pertumbuhan wafer dan memperpanjang masa pakai komponen inti, memberikan jaminan kinerja yang stabil dan andal untuk setiap batch produksi semikonduktor Anda.

Cincin Fokus Silikon Karbida Padat (SiC) Veteksemicon adalah komponen konsumsi penting yang digunakan dalam proses epitaksi semikonduktor dan etsa plasma tingkat lanjut, yang memerlukan kontrol presisi terhadap distribusi plasma, keseragaman termal, dan efek tepi wafer. Diproduksi dari silikon karbida padat dengan kemurnian tinggi, cincin pemfokusan ini menunjukkan ketahanan erosi plasma yang luar biasa, stabilitas suhu tinggi, dan kelembaman kimia, memungkinkan kinerja yang andal dalam kondisi proses yang agresif. Kami menantikan pertanyaan Anda.

Ruang Reaktor Epitaksi Lapis SiC Veteksemicon adalah komponen inti yang dirancang untuk menuntut proses pertumbuhan epitaksi semikonduktor. Memanfaatkan deposisi uap kimia (CVD) tingkat lanjut, produk ini membentuk lapisan SiC yang padat dengan kemurnian tinggi pada substrat grafit berkekuatan tinggi, menghasilkan stabilitas suhu tinggi dan ketahanan korosi yang unggul. Ini secara efektif menahan efek korosif gas reaktan di lingkungan proses bersuhu tinggi, secara signifikan menekan kontaminasi partikulat, memastikan kualitas bahan epitaksi yang konsisten dan hasil yang tinggi, dan secara substansial memperpanjang siklus pemeliharaan dan umur ruang reaksi. Ini adalah pilihan utama untuk meningkatkan efisiensi produksi dan keandalan semikonduktor pita lebar seperti SiC dan GaN.

Dalam proses inti pertumbuhan epitaksi silikon karbida, Veteksemicon memahami bahwa kinerja susceptor secara langsung menentukan kualitas dan efisiensi produksi lapisan epitaksi. Susceptor EPI kami dengan kemurnian tinggi, dirancang khusus untuk bidang SiC, menggunakan substrat grafit khusus dan lapisan SiC CVD yang padat. Dengan stabilitas termal yang unggul, ketahanan terhadap korosi yang luar biasa, dan laju pembentukan partikel yang sangat rendah, produk ini memastikan ketebalan dan keseragaman doping yang tak tertandingi bagi pelanggan bahkan dalam lingkungan proses bersuhu tinggi yang keras. Memilih Veteksemicon berarti memilih landasan keandalan dan kinerja untuk proses manufaktur semikonduktor tingkat lanjut Anda.