Lapisan Silikon Karbida

Pin Pengangkat Wafer AMAT 0200-03201 dari VeTek ini dimulai dengan grafit dengan kemurnian tinggi, kemudian kami menambahkan lapisan CVD SiC padat di atasnya. Itu dibuat untuk sistem epitaksi 300mm dan reaktor EPI Material Terapan. Mengapa grafit dan SiC? Grafit menangani panas dengan sangat baik. Lapisan SiC menyerap gas korosif dan tidak cepat rusak. Desain dinding tipis? Hal ini untuk pengangkatan dan penempatan wafer yang lebih bersih, partikel yang lebih sedikit, dan masa pakai komponen yang lebih lama pada suhu tinggi. Kami juga membuat komponen grafit berlapis SiC serupa untuk sistem ASM, Aixtron, dan LPE. Menantikan pertanyaan Anda.

Vetek Semiconductor membuat pembawa wafer untuk sistem VEECO MOCVD, yang dibuat khusus untuk pekerjaan epitaksi LED seperti LED GaN, LED biru-hijau, dan pertumbuhan LED UV dalam. Pembawa ini dimulai dengan grafit dengan kemurnian tinggi dan mendapatkan lapisan silikon karbida (SiC) CVD yang padat. Kombinasi tersebut bertahan dengan baik di bawah suhu tinggi yang Anda lihat di MOCVD – stabilitas termal yang baik, ketahanan terhadap korosi, dan lapisan tahan lama.

Halfmoon adalah komponen grafit yang digunakan di dalam reaktor LPE SiC, terutama dipasang di sekitar zona panas ruang. Meskipun tidak bersentuhan langsung dengan wafer, namun tetap berperan dalam stabilitas aliran gas dan pengoperasian reaktor selama pertumbuhan epitaksial. Untuk menangani suhu tinggi dan kondisi proses reaktif, komponen biasanya dilindungi dengan lapisan CVD SiC, sementara lapisan TaC juga tersedia untuk beberapa aplikasi. VETEK juga memasok isolasi grafit dan bagian grafit berlapis lainnya untuk sistem epitaksi SiC.

Cincin atas epi SiC 8 inci adalah bagian perangkat keras untuk reaktor semikonduktor. Ia bekerja di dalam sistem epitaksi Si/SiC dan MOCVD/CVD. Cincin ini menstabilkan panas di dalam ruangan. Ini juga mengontrol aliran gas. Bahannya adalah Silikon Karbida CVD dengan kemurnian tinggi. Ia tidak memiliki masalah grafit yang mengeluarkan gas. Ini juga mengurangi kontaminasi partikel selama produksi. Kami menyambut pertanyaan Anda.

VETEK MOCVD SiC Coated Susceptor adalah solusi pembawa rekayasa presisi yang khusus dikembangkan untuk pertumbuhan epitaksi semikonduktor LED dan senyawa. Ini menunjukkan keseragaman termal dan kelembaman kimia yang luar biasa dalam lingkungan MOCVD yang kompleks. Dengan memanfaatkan proses deposisi CVD VETEK yang ketat, kami berkomitmen untuk meningkatkan konsistensi pertumbuhan wafer dan memperpanjang masa pakai komponen inti, memberikan jaminan kinerja yang stabil dan andal untuk setiap batch produksi semikonduktor Anda.

Cincin Fokus Silikon Karbida Padat (SiC) Veteksemicon adalah komponen konsumsi penting yang digunakan dalam proses epitaksi semikonduktor dan etsa plasma tingkat lanjut, yang memerlukan kontrol presisi terhadap distribusi plasma, keseragaman termal, dan efek tepi wafer. Diproduksi dari silikon karbida padat dengan kemurnian tinggi, cincin pemfokusan ini menunjukkan ketahanan erosi plasma yang luar biasa, stabilitas suhu tinggi, dan kelembaman kimia, memungkinkan kinerja yang andal dalam kondisi proses yang agresif. Kami menantikan pertanyaan Anda.